南京国博电子有限公司
- 作品数：120 被引量：74H指数：4
- 相关机构：南京电子器件研究所中国电子科技集团公司第五十五研究所东南大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金毫米波国家重点实验室开放基金中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术经济管理自然科学总论更多>>
- 基于0.18 μm BiCMOS工艺的2 GS/s采保放大器
- 2018年
- 基于华虹0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计并实现了一种2GS/s超高速采保放大器。分析了二极管桥和开关射极跟随结构的优缺点,采用了开关射极跟随结构。增加了前馈电容,以消除保持模式下的信号馈通。后仿真结果表明,该采保放大器的信噪失真比(SNDR)在奈奎斯特频率下均大于51.7dB,核心电路的功耗为29.2mW,时钟缓冲电路的功耗为7mW。该采保放大器的性能良好。
- 张翼张翼郭宇锋孟桥郭宇锋孟桥
- 关键词：BICMOS
- 一种隔离开关
- 本发明提出的是一种隔离开关，其结构包括输入变压器单元，反相信号前馈单元和开关单元，其中输入变压器单元的输入端连接单端射频输入信号端口，输入变压器单元的A耦合输出端和B耦合输出端分别连接开关单元的C输入端和反相信号前馈单元...
- 陈亮
- 文献传递
- 基于氮化铝技术的表贴型微波封装被引量：4
- 2012年
- 采用氮化铝多层布线技术,运用垂直过渡方式实现微波信号从基板底部到表面的信号传输,完成表贴式微波封装设计。在DC-18GHz内,该表贴互连反射损耗小于-15dB,插入损耗小于1.0dB。采用该技术封装了6～18GHz宽带放大器,封装尺寸为5mm×5mm×1.2mm,频带内反射损耗小于-10dB,增益15dB,平坦度小于1dB;另外还封装C波段5W功率放大器,封装尺寸为8mm×8mm×1.2mm,带内增益大于25dB,反射损耗小于-10dB,饱和输出功率37dBm,效率35%。采用技术的表面贴装放大器性能上能够满足微波通信、雷达应用,可用回流焊安装,适合规模生产。
- 郑远吴健钱峰陈新宇艾萱曹坤杨磊
- 关键词：氮化铝微波封装微波单片集成电路放大器
- 基站应用高线性高效率50 V GaN HEMT
- 2017年
- 报道了针对移动通信基站应用的GaN HEMT的研制。通过采用NiAu势垒,降低器件栅极漏电,从而提高器件击穿电压。同时通过优化V型栅,降低了峰值电场,提高器件击穿电压30%以上。GaN HEMT器件设计采用双场板结构,工艺采用0.5μm栅长,工作电压50V,在2.3~2.7GHz带内峰值输出功率280 W,功率附加效率>64%,线性度-30dBc@PAR=5dB,器件抗失配比(VSWR)至5∶1,器件性能可以满足未来基站多频段多载波应用需要。可靠性试验结果表明,研制的器件在150℃下平均工作寿命(MTTF)>4×10~6 h,满足系统应用需要。
- 陈韬陈志勇蒋浩魏星杨兴陈新宇李忠辉陈堂胜
- 关键词：氮化镓微波功率管场板
- 基于InP DHBT工艺的32.2 GHz超高速全加器
- 2019年
- 介绍了一种基于0.7μm磷化铟(InP)双异质结双极型晶体管(DHBT)工艺的超高速全加器,将加法运算与数据同步锁存融合设计来提高计算速度,采用多数决定运算法则设计单层晶体管并联型进位电路来降低功耗。测试结果表明,全加器的最高时钟频率达32.2 GHz,包含锁存器的全加器整体电路功耗为350 mW。
- 李晓鹏王志功王志功张敏张有涛张翼张敏
- 关键词：全加器磷化铟超高速电路
- 双模式高集成负电荷泵电路设计
- 2020年
- 提出了一种新颖的双模式高集成开关电容电荷泵。该电荷泵集成高频振荡器、电平移位、逻辑驱动以及4个功率MOSFET开关。与传统电荷泵相比,该电路可以工作在单电源以及双电源两种模式。单电源模式下,输出电压为-VCC;双电源模式下,输出电压为-3×VCC。电路采用0.35μm BCD工艺实现。测试结果表明:室温时,单电源模式和双电源模式下电荷泵输出电流分别为36 mA和80 mA时输出电压分别为-3.07 V和-12.10 V。在-55℃到125℃温度范围内,单电源模式和双电源模式下电荷泵输出电流分别为24 mA和50 mA时输出电压分别低于-3.06 V和-12.35 V。该电荷泵在两种模式下工作特性良好,已应用于相关工程项目。
- 李亚军李晓鹏李晓鹏刘洁张有涛刘洁
- 关键词：双模式高集成开关电容
- 一种应用于高频开关单片电路的PIN二极管
- 本发明提出的是一种应用于高频开关单片电路的PIN二极管，其结构包括GaAs衬底、P型半导体层、I型半导体层、N型半导体层，其中GaAs衬底的表面自下而上依次设置N型半导体层、I型半导体层、P型半导体层；所述的N型半导体层...
- 蒋东铭
- 文献传递
- 一种VHF频段具有抗振性能的晶体振荡器的设计
- 2012年
- 描述了一个100.0 MHz的石英晶体振荡器的设计和性能,提出了一种在振动条件下获得较好相位噪声性能的方法。测试结果表明:在静止状态下,晶体振荡器的相位噪声为:-143.0 dBc/Hz@1 kHz,-156.8 dBc/Hz@10 kHz;在任一方向的随机振动条件下,晶体振荡器的相位噪声优于-137.4 dBC/Hz@1 kHz,-150.9 dBC/Hz@10 kHz。
- 张海峰苗一新任晓捷张君直
- 关键词：石英晶体振荡器隔振相位噪声
- 一种低相噪宽带有源单片集成宽带梳谱发生器
- 本发明公开了一种低相噪宽带有源单片集成宽带梳谱发生器，其特征是包括前端宽带比较器，粗调延时链路模块，细调延时链路模块和输出驱动模块，采用GaAs或InP工艺，基于窄脉冲产生原理，利用片内及片外的模拟及数字控制延时相结合的...
- 张有涛李晓鹏张敏罗宁
- 文献传递
- 一种射频收发前端模块及其制备方法
- 本发明公开了一种射频收发前端模块，该模块采用QFN8×8-16L标准封装，在QFN8×8-16L标准封装引线框中心的金属衬底上设置有一个矩形的氮化铝基板、一个砷化镓低噪放芯片，所述砷化镓低噪放芯片分别与QFN8×8-16...
- 杨磊黄贞松
- 文献传递
