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中国电子科技集团公司第五十五研究所

作品数：2,805 被引量：1,425H指数：14
相关作者：陈堂胜朱健孔月婵李拂晓李忠辉更多>>
相关机构：中国电子科技集团第十三研究所南京航空航天大学东南大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术经济管理化学工程更多>>

合作机构

文献类型

  • 1,779篇专利
  • 650篇期刊文章
  • 153篇会议论文
  • 119篇标准
  • 66篇科技成果

领域

  • 961篇电子电信
  • 141篇自动化与计算...
  • 80篇化学工程
  • 69篇金属学及工艺
  • 61篇经济管理
  • 45篇一般工业技术
  • 44篇环境科学与工...
  • 37篇理学
  • 34篇文化科学
  • 29篇电气工程
  • 28篇机械工程
  • 9篇动力工程及工...
  • 8篇交通运输工程
  • 7篇建筑科学
  • 7篇航空宇航科学...
  • 7篇医药卫生
  • 4篇轻工技术与工...
  • 3篇社会学
  • 3篇政治法律
  • 2篇军事

主题

  • 223篇电路
  • 177篇封装
  • 172篇晶体管
  • 157篇芯片
  • 132篇碳化硅
  • 124篇刻蚀
  • 115篇半导体
  • 106篇金属
  • 104篇二极管
  • 99篇陶瓷
  • 99篇衬底
  • 89篇氮化镓
  • 88篇氮化
  • 87篇信号
  • 84篇波导
  • 83篇键合
  • 81篇液晶
  • 80篇势垒
  • 79篇电极
  • 71篇迁移率

机构

  • 2,767篇中国电子科技...
  • 51篇中国电子科技...
  • 26篇南京航空航天...
  • 23篇中国电子科技...
  • 22篇东南大学
  • 22篇中国电子科技...
  • 21篇中国电子科技...
  • 11篇中国电子技术...
  • 11篇南京国博电子...
  • 10篇电子科技大学
  • 8篇中国人民解放...
  • 7篇扬州国扬电子...
  • 6篇浙江大学
  • 6篇中国电子科技...
  • 5篇南京理工大学
  • 5篇中国电子科技...
  • 5篇中国船舶重工...
  • 5篇中国人民解放...
  • 4篇哈尔滨工业大...
  • 4篇南京大学

作者

  • 180篇陈堂胜
  • 139篇李忠辉
  • 135篇孔月婵
  • 116篇柏松
  • 114篇朱健
  • 101篇樊卫华
  • 76篇洪乙又
  • 75篇周建军
  • 75篇程凯
  • 72篇李赟
  • 64篇吴金华
  • 63篇陈建军
  • 62篇曹允
  • 60篇王绪丰
  • 59篇郁元卫
  • 56篇庞学满
  • 55篇吴立枢
  • 55篇黄润华
  • 52篇孔岑
  • 51篇赵志飞

传媒

  • 174篇光电子技术
  • 51篇电子与封装
  • 23篇电子工业专用...
  • 14篇电子工艺技术
  • 13篇电镀与涂饰
  • 12篇电子产品可靠...
  • 10篇山东工业技术
  • 8篇半导体技术
  • 8篇固体电子学研...
  • 8篇微波学报
  • 8篇真空电子技术
  • 6篇真空与低温
  • 6篇2009年中...
  • 6篇第六届表面工...
  • 5篇模具工业
  • 5篇电子机械工程
  • 5篇通信与广播电...
  • 5篇现代信息科技
  • 5篇2012中国...
  • 5篇2014中国...

年份

  • 224篇2024
  • 175篇2023
  • 264篇2022
  • 220篇2021
  • 176篇2020
  • 151篇2019
  • 228篇2018
  • 177篇2017
  • 148篇2016
  • 119篇2015
  • 152篇2014
  • 87篇2013
  • 85篇2012
  • 70篇2011
  • 62篇2010
  • 58篇2009
  • 59篇2008
  • 52篇2007
  • 31篇2006
  • 38篇2005
共 2,805 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
高可靠的触摸屏的集成化制造工艺
一种高可靠的电阻式触摸屏制造工艺，该触摸屏的上屏的电极(13)及引出线(14)和下屏的电极(23)及引出线(24)都制作在下屏(2)上，且采用与绝缘层(6)、绝缘层A、隔子点阵(7)通过高温集成化共烧工艺制作而成。从而在...
刘忠安
文献传递
具备自对准欧姆工艺的碳化硅MOSFET功率器件及其制造方法
本发明公开了一种具备自对准欧姆工艺的碳化硅MOSFET功率器件及其制造方法。该碳化硅MOSFET功率器件的原胞结构包括欧姆台面、碳化硅衬底、碳化硅外延层、阱区、源区、体二极管区、栅介质层、隔离介质层、栅极、源极和漏极。于...
张跃柏松李士颜张腾陈谷然黄润华杨勇
一种夜视镜模拟训练用的液晶显示方法
一种夜视镜模拟训练用的液晶显示方法，其特征根据液晶屏的透过率曲线，在普通的白色LED光源加750nm后截止的滤色片，同时一路增加匹配模拟夜晚星空环境光谱的特殊背光光源，并通过控制其光谱、功率，保证显示器在相对夜视镜的辐射...
高慧芳吴金华尹志乐柳慧艳樊卫华吴添德李剑
文献传递
一种宽带小型化大延时非色散微带延迟线
本发明公开了一种宽带小型化大延时非色散微带延迟线，包括数条周期加载传输线、数段加载枝节的弯折结构传输线以及两条微带线，相邻两条周期加载传输线之间通过一段加载枝节的弯折结构传输线连接，从而多条周期加载传输线以弯折方式级联在...
戴新峰周明
文献传递
JKN-6型电视监控报警系统
该系统适用于银行、仓库、监狱、工矿等部门的安全监视和管理。它以８０３１单片机为核心，由专用键盘操作主控台或副控台对各摄像点的状态动作控制，并为报警信号处理、显示、记录等，解决了多路信号采集、传输、显示和强弱电之间的转换等...
关键词：
基于正交试验法的TC4钛合金铣削参数优化被引量：3
2014年
为研究高速铣削加工中既有较低的刀具磨损量、又有较高的切削效率的切削参数,按照L9(34)正交表,选取了铣削参数每齿进给、切深、切宽、转速四个因素,每个因素取3个水平进行试验,获得了不同切削参数下的刀具磨损数据。通过直接分析和极差分析最终得到了优化的铣削参数。
吴彬张登清张斌
关键词：钛合金正交试验切削参数优化
一种抗辐照GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法
本发明公开了一种抗辐照GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法，晶体管结构包含衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、源极、漏极、栅极、第一钝化层和第二钝化层。本发明针对常规GaN HEMT经过高能粒子辐照后器件性能退化明显的问题，...
王登贵周建军孔岑张凯戚永乐陈堂胜
文献传递
一种真空吸笔
本发明是一种真空吸笔，其结构包括真空吸头、真空吸头多角度调节机构和真空检测系统，所述真空吸头多角度调节机构包括A真空金属细管、B真空金属细管、橡胶软管、固定金属管、螺丝、旋转导轨；真空检测系统包括真空指示灯、微型电源和真...
夏久龙王向阳刘磊
文献传递
低温冷凝泵的结构和维护被引量：3
2002年
分析了低温冷凝泵的工作原理和内部结构 。
申强
关键词：冷凝泵
厚薄膜混合氮化铝多层基板技术研究
电子器件向着高密度高功率的方向发展,对于基板的散热与布线密度要求越来越高.为了适应这一趋势.研究了厚薄膜混合氮化铝基板技术,该技术结合了氮化铝高热导率、厚膜电路多层布线、薄膜电路精细布线的优势,能够满足未来高密度高功率器...
陈寰贝梁秋实刘玉根王子良
关键词：氮化铝热导率布线密度
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