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国家重点基础研究发展计划(513270407)
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郝跃
张进城
王冲
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郝跃
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
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张进城
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN_HEMT GAN 淀积
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王冲
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:高电子迁移率晶体管 电极 ALGAN/GAN HEMT器件 势垒层
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冯倩
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:击穿电压 场板 ALGAN/GAN ALGAN/GAN_HEMT 淀积
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杨燕
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 GAN 解析模型 ALGAN/GAN_HEMT
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张金凤
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:ALGAN/GAN GAN 高电子迁移率晶体管 二维电子气 HEMT
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倪金玉
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:GAN ALGAN/GAN GAN薄膜 SI基 二维电子气
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谷文萍
供职机构:长安大学
研究主题:碳化硅 放射源 ALGAN/GAN_HEMT器件 掺杂 欧姆接触
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张金风
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:金刚石 势垒层 氮化镓 高电子迁移率晶体管 场板
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李志明
供职机构:济南大学信息科学与工程学院
研究主题:MOCVD 温度场 氮化物 非极性 均匀性
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