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国家重点基础研究发展计划(51327010101)

作品数：7 被引量：8H指数：2
相关作者：张玉明张义门吕红亮曹全君李肇基更多>>
相关机构：西安电子科技大学电子科技大学更多>>
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相关领域：电子电信更多>>

领域

  • 18个电子电信
  • 14个自动化与计算...
  • 11个理学
  • 9个电气工程
  • 8个一般工业技术
  • 8个文化科学
  • 7个化学工程
  • 6个金属学及工艺
  • 5个经济管理
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  • 1个动力工程及工...
  • 1个轻工技术与工...

主题

  • 16个电路
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  • 14个击穿电压
  • 13个导通
  • 13个导通电阻
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  • 11个电场
  • 11个电极
  • 11个电离
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  • 10个电场分布
  • 9个导通损耗
  • 8个单粒子
  • 8个低功耗
  • 7个大信号
  • 7个电感
  • 6个大信号模型

机构

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  • 1个华南理工大学
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  • 1个空军工程大学
  • 1个西安科技大学
  • 1个重庆大学
  • 1个华北电力大学
  • 1个中国科学院微...
  • 1个西安电子科学...

资助

  • 18个国家重点基础...
  • 12个国家自然科学...
  • 9个国防科技技术...
  • 8个国家科技重大...
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  • 6个国防基础科研...
  • 6个国防科技重点...
  • 6个国家电网公司...
  • 5个教育部科学技...
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  • 4个教育部留学回...
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  • 4个国防科技工业...
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  • 3个博士科研启动...

传媒

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  • 13个Journa...
  • 13个微电子学
  • 11个第十五届全国...
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  • 8个电子学报
  • 7个半导体技术
  • 7个电子科技大学...
  • 7个电子器件
  • 7个西安电子科技...
  • 7个微纳电子技术
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  • 6个电子与信息学...
  • 6个电力电子技术
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  • 6个电子元件与材...
  • 5个微电子学与计...
  • 5个计算物理
  • 4个红外与毫米波...
  • 4个光谱学与光谱...

地区

  • 10个四川省
  • 8个陕西省
共 18 条 记 录，以下是 1-10
张义门
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：4H-SIC 碳化硅 SIC MESFET 6H-SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张玉明
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：碳化硅 4H-SIC 肖特基接触 样片 退火
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吕红亮
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：4H-SIC 半导体器件 MESFET 参数提取方法 源区
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曹全君
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：MESFET 4H-SIC 大信号模型 射频 大信号
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
汤晓燕
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：碳化硅 肖特基接触 欧姆接触 外延层 肖特基二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗小蓉
供职机构：电子科技大学
研究主题：导通压降 关断损耗 槽栅 LIGBT SOI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王悦湖
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：碳化硅 4H-SIC 碳化硅衬底 掺杂 电池
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李肇基
供职机构：电子科技大学
研究主题：击穿电压 功率器件 导电类型 SOI 功率半导体器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郭辉
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：样片 退火 石墨烯 欧姆接触电极 碳化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张波
供职机构：电子科技大学
研究主题：功率半导体器件 半导体功率器件 电能传输系统 导电类型 无线
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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