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国家教育部博士点基金(JY0300122503)

作品数:21 被引量:20H指数:3
相关作者:张鹤鸣胡辉勇宋建军周春宇舒斌更多>>
相关机构:西安电子科技大学北京精密机电控制设备研究所北京信息科技大学更多>>
发文基金:国家教育部博士点基金陕西省自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
相关领域:电子电信理学建筑科学更多>>

领域

  • 24个电子电信
  • 17个理学
  • 13个自动化与计算...
  • 10个电气工程
  • 9个一般工业技术
  • 9个文化科学
  • 7个机械工程
  • 6个建筑科学
  • 6个交通运输工程
  • 6个环境科学与工...
  • 5个金属学及工艺
  • 3个经济管理
  • 3个化学工程
  • 2个医药卫生
  • 1个天文地球
  • 1个矿业工程
  • 1个轻工技术与工...
  • 1个航空宇航科学...
  • 1个核科学技术
  • 1个兵器科学与技...

主题

  • 20个阈值电压
  • 20个晶体管
  • 19个应变SI
  • 17个电路
  • 17个载流子
  • 16个迁移
  • 15个淀积
  • 15个多晶
  • 15个栅介质
  • 14个电荷
  • 14个应变硅
  • 13个电容
  • 13个电子迁移率
  • 13个氧化物半导体
  • 12个电流
  • 12个电学
  • 12个电学特性
  • 11个单轴
  • 11个压应变
  • 9个底片

机构

  • 22个西安电子科技...
  • 2个教育部
  • 2个西安科技大学
  • 1个北京信息科技...
  • 1个电子科技大学
  • 1个辽宁工程技术...
  • 1个清华大学
  • 1个西安交通大学
  • 1个浙江万里学院
  • 1个中国科学院
  • 1个重庆邮电大学
  • 1个中国电子技术...
  • 1个华为技术有限...
  • 1个西安电子科学...
  • 1个河北普兴电子...
  • 1个北京精密机电...

资助

  • 24个国家教育部博...
  • 21个中央高校基本...
  • 18个陕西省自然科...
  • 14个国家自然科学...
  • 13个国家部委资助...
  • 11个国家部委预研...
  • 11个模拟集成电路...
  • 7个中央级公益性...
  • 6个国防科技技术...
  • 6个武器装备预研...
  • 6个模拟集成电路...
  • 5个国家重点基础...
  • 5个高等学校学科...
  • 4个军事电子预研...
  • 4个中国博士后科...
  • 4个国家科技重大...
  • 4个国家重点实验...
  • 4个陕西省科学技...
  • 3个陕西省教育厅...
  • 2个北京市自然科...

传媒

  • 24个物理学报
  • 11个电子器件
  • 11个西安电子科技...
  • 10个半导体技术
  • 9个电子科技
  • 9个Journa...
  • 9个固体电子学研...
  • 8个微电子学
  • 8个第十七届全国...
  • 7个微电子学与计...
  • 7个微纳电子技术
  • 6个电子学报
  • 6个第十三届全国...
  • 6个第十五届全国...
  • 5个西北大学学报...
  • 5个光子学报
  • 5个电子科技大学...
  • 5个湖北汽车工业...
  • 5个第十四届全国...
  • 4个电子与信息学...

地区

  • 19个陕西省
  • 2个北京市
  • 1个重庆市
  • 1个广东省
  • 1个河北省
24 条 记 录,以下是 1-10
张鹤鸣
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:应变SI BICMOS 双极器件 多晶 光刻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡辉勇
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:应变SI BICMOS 双极器件 多晶 光刻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宋建军
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:应变SI BICMOS 双极器件 多晶 光刻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周春宇
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:BICMOS 应变SI 双极器件 光刻 多晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宣荣喜
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:应变SI BICMOS 双极器件 多晶 光刻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王斌
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:应变SI BICMOS 光刻 双极器件 多晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
舒斌
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:BICMOS 应变SI 双极器件 光刻 多晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吕懿
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:BICMOS 应变SI 双极器件 晶面 光刻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨晋勇
供职机构:北京精密机电控制设备研究所
研究主题:单轴 应变SI MOSFET 一致性 复杂系统
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李妤晨
供职机构:西安科技大学
研究主题:BICMOS 应变SI 双极器件 淀积 多晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共3页<123>
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