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北京市自然科学基金(D0404003040221)

作品数：4 被引量：34H指数：3
相关作者：牛南辉韩军刘建平沈光地邓军更多>>
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机构

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资助

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地区

  • 8个北京市
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共 9 条 记 录，以下是 1-9
沈光地
供职机构：北京工业大学
研究主题：半导体激光器 垂直腔面发射激光器 发光二极管 红外探测器 MOCVD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘建平
供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院北京市光电子技术实验室
研究主题：氮化镓 金属有机物化学气相淀积 MOCVD 发光二极管 INGAN/GAN多量子阱
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩军
供职机构：北京工业大学
研究主题：MOCVD 金属有机物化学气相沉积 半导体激光器 金属有机物化学气相淀积 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
牛南辉
供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院北京市光电子技术实验室
研究主题：MOCVD 氮化镓 金属有机物化学气相淀积 GAN 发光二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邓军
供职机构：北京工业大学
研究主题：MOCVD 垂直腔面发射激光器 石墨烯 半导体激光器 红外探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邢艳辉
供职机构：北京工业大学
研究主题：MOCVD 金属有机物化学气相沉积 氮化镓 MOCVD生长 P型GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李彤
供职机构：天津职业技术师范大学电子工程学院
研究主题：NIO 反向击穿电压 二极管 欧姆接触电极 整流特性
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王怀兵
供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院北京市光电子技术实验室
研究主题：金属有机物化学气相淀积 氮化镓 MOCVD INGAN/GAN多量子阱 MOCVD生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘乃鑫
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 氮化物 金属有机物化学气相淀积 发光二极管 MOCVD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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