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国家自然科学基金(51177003)

作品数：10 被引量：7H指数：2
相关作者：周郁明陈伟伟李勇杰陈涛袁晨更多>>
相关机构：安徽工业大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信电气工程一般工业技术建筑科学更多>>

领域

  • 8个电子电信
  • 6个电气工程
  • 2个自动化与计算...
  • 2个文化科学
  • 1个化学工程
  • 1个金属学及工艺
  • 1个轻工技术与工...
  • 1个交通运输工程
  • 1个环境科学与工...
  • 1个核科学技术
  • 1个理学

主题

  • 6个MOSFET
  • 5个迁移率
  • 5个半导体
  • 5个SIC
  • 5个场效应
  • 4个氧化物半导体
  • 4个损耗
  • 4个迁移
  • 4个金属氧化物半...
  • 4个金属氧化物半...
  • 4个晶体管
  • 4个半导体场效应...
  • 4个场效应晶体管
  • 3个电路
  • 3个电路模型
  • 2个氮离子注入
  • 2个导电类型
  • 2个导体
  • 2个电力
  • 2个电流

机构

  • 8个安徽工业大学
  • 1个中国科学技术...

资助

  • 8个国家自然科学...
  • 2个安徽省高校省...
  • 1个安徽省自然科...
  • 1个国家高技术研...
  • 1个安徽省高等学...
  • 1个安徽省高校省...
  • 1个安徽省教学研...

传媒

  • 5个固体电子学研...
  • 4个电源学报
  • 3个电子科技大学...
  • 2个电子器件
  • 2个安徽工业大学...
  • 1个佳木斯大学学...
  • 1个物理学报
  • 1个中国科学技术...
  • 1个安徽工业大学...
  • 1个电子学报
  • 1个工业控制计算...
  • 1个高电压技术
  • 1个核技术
  • 1个仪表技术
  • 1个电力电子技术
  • 1个强激光与粒子...
  • 1个电源技术
  • 1个工业水处理
  • 1个中国电机工程...
  • 1个电工电能新技...

地区

  • 6个安徽省
共 8 条 记 录，以下是 1-8
周郁明
供职机构：安徽工业大学
研究主题：导电类型 掺杂 电中性 半绝缘 离子注入工艺
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈伟伟
供职机构：安徽工业大学电气与信息工程学院
研究主题：MOSFETS 场效应迁移率 表面粗糙度 4H-碳化硅 金属氧化物半导体场效应晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李勇杰
供职机构：安徽工业大学
研究主题：MOSFET 4H-SIC SPICE模型 SIC 界面态密度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
冯德仁
供职机构：安徽工业大学
研究主题：串联谐振 高压直流电源 电磁脉冲 倍压整流 软开关
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
姜浩楠
供职机构：安徽工业大学
研究主题：光电导开关 击穿电压 宽禁带半导体 多层结构 碳化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈涛
供职机构：安徽工业大学电气与信息工程学院
研究主题：MOSFET SIC 开关损耗 金属氧化物半导体场效应晶体管 迁移率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
袁晨
供职机构：安徽工业大学
研究主题：SIC 开关损耗 MOSFET 功率MOSFET 金属氧化物半导体场效应晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
靳爱津
供职机构：安徽工业大学电气信息学院
研究主题：补偿度 光导开关 光导 开关特性 漏电流
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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