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国家重点基础研究发展计划(G200036504)

作品数：8 被引量：8H指数：2
相关作者：谢常青陈大鹏王德强刘明徐秋霞更多>>
相关机构：中国科学院微电子研究所电子科技大学重庆邮电学院更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

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地区

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共 27 条 记 录，以下是 1-10
谢常青
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：电子束光刻 X射线光刻 敏感膜 存储器 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王德强
供职机构：中国工程物理研究院激光聚变研究中心
研究主题：X射线光刻 波带片 X射线 电子束 电子束直写
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐秋霞
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：金属栅 半导体器件 刻蚀 沟道 堆叠
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
叶甜春
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：X射线光刻 沟道 半导体器件 版图 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘明
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：存储器 电极 衬底 电子束光刻 介质层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈大鹏
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 刻蚀 沟道 焦平面阵列 MEMS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林钢
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SIO 叠层栅介质 N O MOSFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
范东升
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：纳米压印 纳米压印光刻 T型栅 压印 微细加工
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
薛丽君
供职机构：中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成重点实验室
研究主题：电子束直写 ALGAN/GAN_HEMT 光学 微光刻技术 电子束曝光系统
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张庆钊
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：启辉 原子层沉积 等离子体 刻蚀工艺 电极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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