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国家重点基础研究发展计划(2006CB932801)

作品数：4 被引量：2H指数：1
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地区

  • 9个北京市
共 9 条 记 录，以下是 1-9
郑厚植
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 半导体 量子点 GAAS GA
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵建华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 MN 稀磁半导体 GA 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
章昊
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：工作波长 晶片 谐振腔增强型光电探测器 砷化铝 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘剑
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：模数转换器 太赫兹波 电容失配 图像 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
甘华东
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：自旋 GA MN AS 固定器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李桂荣
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：半导体 共振隧穿 势垒 光致发光 宽带隙半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张泉
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：波段 半导体光放大器 光谱仪 高增益 线偏振
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱汇
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：测量系统 钕铁硼永磁体 单色仪 物镜 波片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱科
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：自旋 MN GA 材料特性 波段
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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