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国家自然科学基金(60376012)

作品数:1 被引量:0H指数:0
相关作者:樊永良张翔九杨鸿斌更多>>
相关机构:复旦大学更多>>
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领域

  • 3个电子电信
  • 3个理学
  • 2个轻工技术与工...
  • 2个一般工业技术
  • 1个金属学及工艺
  • 1个电气工程

主题

  • 3个应变弛豫
  • 3个退火
  • 2个单晶
  • 2个单晶硅
  • 2个导体
  • 2个多孔硅
  • 2个衍射
  • 2个氧化硅
  • 2个异质结
  • 2个应变层
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  • 1个单晶薄膜
  • 1个单晶片
  • 1个底片
  • 1个点阵
  • 1个电池
  • 1个电化学
  • 1个电化学法

机构

  • 3个复旦大学
  • 1个大连理工大学
  • 1个西安交通大学
  • 1个中国科学院

资助

  • 3个国家自然科学...
  • 2个国家教育部博...
  • 1个国家重点基础...
  • 1个基础研究重大...
  • 1个上海市青年科...
  • 1个国家教委资助...
  • 1个国家重点实验...
  • 1个上海市博士后...

传媒

  • 3个Journa...
  • 2个物理学报
  • 2个自然科学进展...
  • 2个第六届全国分...
  • 2个第十四届全国...
  • 2个第十六届全国...
  • 2个第十四届全国...
  • 1个物理实验
  • 1个半导体情报
  • 1个科学通报
  • 1个物理
  • 1个光学学报
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  • 1个科学
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  • 1个中国科学(E...
  • 1个大连理工大学...
  • 1个江西科学
  • 1个光散射学报
  • 1个电子显微学报

地区

  • 3个上海市
3 条 记 录,以下是 1-3
樊永良
供职机构:复旦大学
研究主题:分子束外延 硅衬底 SI 硅 SIGE
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张翔九
供职机构:复旦大学
研究主题:硅 分子束外延 SI 锗 红外探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨鸿斌
供职机构:复旦大学物理学系应用表面物理国家重点实验室
研究主题:SI 位错 SIGE 弛豫 GE/SI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共1页<1>
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