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中央高校基本科研业务费专项资金(20110203110012)

作品数：5 被引量：7H指数：2
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机构

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地区

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共 10 条 记 录，以下是 1-10
刘红侠
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：单粒子 栅氧化层 总剂量 抗辐照 电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
卓青青
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：SOI NMOS器件 总剂量效应 总剂量 MOS器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
彭里
供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
研究主题：SOI PD_SOI NMOS器件 NMOS 总剂量辐照效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曹磊
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：隐私 SOI_MOSFET 高K栅介质 势垒 SOI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
樊继斌
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：原子层淀积 硅衬底 金属氧化物半导体场效应晶体管 电介质膜 栅介质材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
范小娇
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：原子层淀积 金属氧化物半导体场效应晶体管 电介质膜 应变SI 栅介质材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蔡惠民
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：SOI NMOS器件 总剂量辐照效应 碰撞电离 参考源
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张旭杰
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：原子层淀积 ND2O3 ND 经时击穿 温度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
商怀超
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：MOS器件 KINK效应 Γ射线辐照 跨导 总剂量效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王志
供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
研究主题：SOI NMOS器件 单粒子效应 单粒子 总剂量效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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