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国家部委预研基金(51308040203)

作品数：4 被引量：25H指数：3
相关作者：张鹤鸣胡辉勇宣荣喜戴显英崔晓英更多>>
相关机构：西安电子科技大学中国电子科技集团西安石油大学更多>>
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相关领域：电子电信更多>>

领域

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主题

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机构

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资助

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传媒

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  • 3个计算机与数字...
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地区

  • 13个陕西省
  • 1个重庆市
共 14 条 记 录，以下是 1-10
张鹤鸣
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：应变SI BICMOS 双极器件 多晶 光刻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡辉勇
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：应变SI BICMOS 双极器件 多晶 光刻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宣荣喜
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：应变SI BICMOS 双极器件 多晶 光刻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
肖庆
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：表面势 FD-SOI SOI_MOSFET 全耗尽 应变硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
屈江涛
供职机构：西安电子科技大学微电子学院
研究主题：多晶 SIGE 互连线 刻蚀速率 保护区域
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王冠宇
供职机构：重庆邮电大学光电工程学院
研究主题：应变SI 互连线 刻蚀速率 自对准 CMOS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
崔晓英
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：SIGE SIGE_HBT 阈值电压 PMOSFET PSPICE软件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宋建军
供职机构：西安电子科技大学微电子学院
研究主题：应变SI BICMOS 双极器件 多晶 光刻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张志锋
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：应变硅 反型层 阈值电压 NMOSFET 弛豫
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宋久旭
供职机构：西安石油大学
研究主题：电子结构 第一性原理 BOOST变换器 斜坡补偿 第一性原理研究
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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共2页<12>
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