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国家重点基础研究发展计划(2011CB301902)

作品数：8 被引量：6H指数：1
相关作者：胡健楠朱石超钮浪周子超赵丽霞更多>>
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资助

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地区

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共 11 条 记 录，以下是 1-10
赵丽霞
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：衬底 可见光通信 调制带宽 表面等离激元 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周子超
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：半导体发光器件 光信号处理 模组 在线监控 应力控制
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王军喜
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 衬底 氮化物 多量子阱
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郝智彪
供职机构：清华大学
研究主题：GAN 量子点 氮化镓 波长 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱石超
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：可见光通信 调制带宽 光通信用 高光效 DBR
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾一平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗毅
供职机构：清华大学
研究主题：GAN 发光二极管 氮化镓 波导 半导体激光器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
卢鹏志
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：发光二极管 基板 LED 封装结构 封装
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
汪莱
供职机构：清华大学
研究主题：GAN 氮化镓 量子点 半导体 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钮浪
供职机构：清华大学
研究主题：半导体 晶格失配 分子束外延生长 ALN SOI衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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