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国家重点基础研究发展计划(2002CB311902)

作品数：12 被引量：11H指数：2
相关作者：刘新宇齐鸣徐安怀吴德馨金智更多>>
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资助

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地区

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共 23 条 记 录，以下是 1-10
刘新宇
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 刻蚀 欧姆接触 衬底 ALGAN/GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐安怀
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：INP DHBT 磷化铟 异质结双极晶体管 气态源分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
齐鸣
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：氮化镓 氢化物气相外延 阳极氧化铝 磷化铟 厚膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴德馨
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：ALGAN/GAN HEMT INGAP/GAAS_HBT 欧姆接触 HBT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
金智
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：石墨烯 金属 场效应晶体管 光刻胶 电极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
程伟
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：INP DHBT HBT 磷化铟 光刻胶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙海锋
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：INGAP/GAAS_HBT 异质结双极晶体管 INGAP/GAAS ALIGNED 氮化
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙浩
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：INP基 磷化铟 DHBT INP 超材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
艾立鹍
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：磷化铟 气态源分子束外延 INP DHBT 双异质结双极晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱福英
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：溅射 气态源分子束外延 DHBT 离子溅射 GSMBE生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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