国家部委预研基金(51308040203)
- 作品数：4 被引量：25H指数：3
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- 相关机构：西安电子科技大学中国电子科技集团西安石油大学更多>>
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- 应变SiGe SOI量子阱沟道PMOSFET阈值电压模型研究被引量：19
- 2007年
- 在绝缘层附着硅(SOI)结构的Si膜上生长SiGe合金制作具有SiGe量子阱沟道的SOIp型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET),该器件不仅具有SOI结构的优点,而且因量子阱中载流子迁移率高,所以进一步提高了器件的性能.在分析常规的SiSOI MOSFET基础上,建立了应变SiGe SOI量子阱沟道PMOSFET的阈值电压模型和电流-电压(I-V)特性模型,利用Matlab对该结构器件的I-V特性、跨导及漏导特性进行了模拟分析,且与常规结构的器件作了对比.模拟结果表明,应变SiGe SOI量子阱沟道PMOSFET的性能均比常规结构的器件有大幅度提高.
- 张鹤鸣崔晓英胡辉勇戴显英宣荣喜
- 关键词：SOIMOSFET阈值电压
- 应变Si沟道nMOSFET阈值电压模型被引量：5
- 2009年
- 在研究分析弛豫SiGe衬底上的应变Si沟道nMOSFET纵向电势分布的基础上,建立了应变Si nMOSFET阈值电压模型,并利用该模型对不同的器件结构参数进行仿真,获得了阈值电压与SiGe层掺杂浓度和Ge组分的关系、阈值电压偏移量与SiGe层中Ge组分的关系、阈值电压与应变Si层掺杂浓度和厚度的关系.分析结果表明:阈值电压随SiGe层中Ge组分的提高而降低,随着SiGe层的掺杂浓度的提高而增大;阈值电压随应变Si层的掺杂浓度的提高而增大,随应变Si层厚度增大而增大.该模型为应变Si器件阈值电压设计提供了重要参考.
- 张志锋张鹤鸣胡辉勇宣荣喜宋建军
- 关键词：应变硅阈值电压电势分布反型层
- 应变Si全耗尽SOI MOSFET二维亚阈电流模型被引量：1
- 2011年
- 本文通过求解二维泊松方程,为应变Si全耗SOI MOSFET建立了全耗尽条件下表面势模型,利用传统的漂移-扩散理论.在表面势模型的基础上,得到了应变Si全耗SOI MOSFET的亚阈电流模型,并通过与二维器件数值模拟工具ISE的结果做比较,证明了所建立的模型的正确性.根据所建立的模型,分析了亚阈电流跟应变Si应变度的大小,应变Si膜的厚度和掺杂浓度的关系,为应变Si全耗SOIMOSFET物理参数设计提供了重要参考.
- 秦珊珊张鹤鸣胡辉勇屈江涛王冠宇肖庆舒钰
- 关键词：应变硅FD-SOI表面势
- (4,4)碳纳米管/碳化硅纳米管异质结的输运特性被引量：3
- 2010年
- 建立了(4,4)碳纳米管/碳化硅纳米管异质结的模型,采用非平衡格林函数法计算了该异质结的输运特性.从异质结的分子投影自洽哈密顿量的本征轨道,可以看出最高占据分子轨道和最低空轨道均位于碳纳米管侧,其能带间隙约为0.48 eV;从其伏安特性可以看出,在正负偏压下开启电压为+2.0 V和-1.6 V.
- 刘红霞宋久旭张鹤鸣
- 关键词：碳纳米管异质结输运特性非平衡格林函数
