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国家自然科学基金(60628403)

作品数：1 被引量：0H指数：0
相关作者：施煜孙清清刘晗董琳张卫更多>>
相关机构：复旦大学更多>>
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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电容-电压特...
  • 1篇电压特性
  • 1篇淀积
  • 1篇原子层淀积
  • 1篇铝
  • 1篇氧
  • 1篇铪
  • 1篇C-V特性

机构

  • 1篇复旦大学

作者

  • 1篇丁士进
  • 1篇张卫
  • 1篇董琳
  • 1篇刘晗
  • 1篇孙清清
  • 1篇施煜

传媒

  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
N2和NH3退火对铪铝氧栅介质C-V特性的影响
2009年
采用原子层淀积(ALD)的方法在Si(100)衬底上制备了铪铝氧(HfAlO)高介电常数介质,并研究了N2和NH3退火对于介质薄膜的影响。改变原子层淀积的工艺,制备了三组含有不同Al∶Hf原子比的铪铝氧(HfAlO)高介电常数介质。电容电压特性(C-V)测试表明,薄膜的积累电容密度随着薄膜中Al∶Hf原子比的减少而增加。实验表明,用N2和NH3对样品进行淀积后退火,可以减小等效电容厚度(CET)、降低固定正电荷密度以及减小滞回电压,从而有效地提高了介质薄膜的电学特性。
施煜刘晗董琳孙清清丁士进叶培德张卫
关键词：原子层淀积电容-电压特性
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