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教育部科学技术研究重点项目(108052)

作品数：1 被引量：0H指数：0
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发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”教育部科学技术研究重点项目国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇淀积
  • 1篇叠层
  • 1篇原子层淀积
  • 1篇退火
  • 1篇热退火
  • 1篇快速热退火
  • 1篇AL
  • 1篇HFO
  • 1篇MOS

机构

  • 1篇复旦大学

作者

  • 1篇丁士进
  • 1篇廖忠伟
  • 1篇张卫
  • 1篇苟鸿雁
  • 1篇孙清清
  • 1篇黄玥

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
基于Al_2O_3/Pt纳米晶/HfO_2叠层的MOS电容存储效应研究
2010年
采用电子束蒸发Pt和后快速热退火的方法,研究了退火条件对Pt纳米晶的生长特性的影响,结果显示Pt纳米晶的密度随退火温度的升高和退火时间的延长均表现出先增大后减小的趋势.在800℃下退火20s能得到分布均匀的、密度为3·0×1011cm-2的Pt纳米晶.进一步研究了基于Al2O3/Pt纳米晶/HfO2叠层的MOS电容结构的存储效应,表明其在-3—+8V扫描电压范围下C-V滞回窗口达到2·01V.在编程时间相同的情况下,当编程电压增大到9V时其平带电压偏移显著增大,这与电子穿过隧穿层的势垒减小有关,即电子由直接隧穿变为Fowler-Nordheim隧穿.此外,Pt纳米晶存储电容也表现出了随编程时间持续的电子俘获能力.
黄玥苟鸿雁廖忠伟孙清清张卫丁士进
关键词：快速热退火原子层淀积
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