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陈振中

作品数：4 被引量：13H指数：2
供职机构：重庆邮电大学光电工程学院更多>>
发文基金：中国博士后科学基金模拟集成电路重点实验室基金国家自然科学基金更多>>
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地区

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共 11 条 记 录，以下是 1-10
胡云斌
供职机构：重庆邮电大学光电工程学院
研究主题：电源抑制比 带隙基准源 基准电压源 PSRR 温度系数
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王永禄
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：电路 BICMOS 采样保持电路 产生电路 差分
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈繁
供职机构：中国电子科技集团公司第二十四研究所
研究主题：击穿电压 锗硅 异质结器件 超高速 CMOS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡蓉彬
供职机构：中国电子科技集团公司
研究主题：超高速 CMOS A/D转换器 主从式 电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周勇
供职机构：中国电子科技集团公司第二十四研究所
研究主题：电源抑制比 带隙基准源 超低功耗 MOS 低温度系数
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡永贵
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：低压差 模拟集成电路 CMOS 低压差线性稳压器 基准电压源
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
秦少宏
供职机构：重庆邮电大学光电工程学院
研究主题：带隙基准源 低温漂 PSRR 电源抑制比 带隙基准电压源
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张静
供职机构：中国电子科技集团
研究主题：SIGE_HBT SIGE 异质结双极晶体管 半导体 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谭开洲
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：半导体 深槽 VDMOS SIGE 半导体器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钟黎
供职机构：重庆邮电大学光电工程学院
研究主题：带隙基准源 PSRR 电源抑制比 抑制比 电压基准源
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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