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韩颖

作品数：10 被引量：3H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

领域

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传媒

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  • 1个河北工业大学...
  • 1个标准科学

地区

  • 19个河北省
共 19 条 记 录，以下是 1-10
师巨亮
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：太赫兹量子级联激光器 THZ MBE 分子束外延 非接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
夏英杰
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：MBE 分子束外延 太赫兹量子级联激光器 THZ 非接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张曦
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：MBE 分子束外延 非接触 隧道结 隧道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨建业
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：MBE 分子束外延 隧道结 隧道 泊松比
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
牛晨亮
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：分子束外延 隧穿 太赫兹量子级联激光器 THZ 超晶格
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王健
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：太赫兹量子级联激光器 THZ 成品率 衬底 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王建峰
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：太赫兹量子级联激光器 THZ 分子束外延 MATLAB X射线双晶衍射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙保瑞
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：氧化镓 太赫兹量子级联激光器 THZ 衬底 功率芯片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张培凤
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：泊松比 INGAAS/GAAS GAAS_PHEMT 非接触 电子浓度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
尹甲运
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：氮化镓 场效应晶体管 氮化物 衬底 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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