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陈繁

作品数：4 被引量：3H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第二十四研究所更多>>
发文基金：模拟集成电路重点实验室基金更多>>
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合作作者

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领域

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  • 3个低温漂
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机构

  • 8个中国电子科技...
  • 5个重庆邮电大学
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  • 2个中国电子科技...
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资助

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地区

  • 8个重庆市
  • 1个江苏省
  • 1个北京市
共 10 条 记 录，以下是 1-10
谭开洲
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：半导体 深槽 VDMOS SIGE 半导体器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈振中
供职机构：重庆邮电大学光电工程学院
研究主题：CMOS 抑制比 电压基准源 带隙基准源 低温漂
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张静
供职机构：中国电子科技集团
研究主题：SIGE_HBT SIGE 异质结双极晶体管 半导体 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡云斌
供职机构：重庆邮电大学光电工程学院
研究主题：电源抑制比 带隙基准源 基准电压源 PSRR 温度系数
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡蓉彬
供职机构：中国电子科技集团公司
研究主题：超高速 CMOS A/D转换器 主从式 电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王兰
供职机构：重庆邮电大学光电工程学院
研究主题：压控振荡器 变容管 高速锁相环 宽频带 开关电容阵列
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钟黎
供职机构：重庆邮电大学光电工程学院
研究主题：带隙基准源 PSRR 电源抑制比 抑制比 电压基准源
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马婷
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：MOSFET SIGE_HBT 辐照损伤 击穿电压 击穿
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
崔伟
供职机构：中国电子科技集团公司第二十四研究所
研究主题：GE组分分布 SIGE_HBT 半导体工艺 CMOS HBT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王永禄
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：电路 BICMOS 采样保持电路 产生电路 差分
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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