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傅剑宇

作品数：57 被引量：9H指数：2
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
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陈大鹏
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 刻蚀 沟道 焦平面阵列 MEMS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
殷华湘
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 栅极 衬底 鳍片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许高博
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：金属栅 半导体器件 沟道 介质层 堆叠
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李俊峰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 刻蚀 衬底 沟道 栅极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李俊杰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：刻蚀 半导体器件 沟道 纳米线 电子设备
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨涛
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：刻蚀 衬底 半导体器件 化学机械平坦化 晶圆
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李永亮
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 半导体 晶体管 源区
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王文武
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 刻蚀 纳米线 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
欧毅
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化硅薄膜 刻蚀 MEMS 牺牲层 微机电系统
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴迪
供职机构：中国科学院重庆绿色智能技术研究院
研究主题：传感器 丙酮 加热电阻 特征提取 传输时延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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