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陈文伟

作品数：12 被引量：0H指数：0
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司更多>>
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合作作者

领域

  • 11个电子电信
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主题

  • 10个淀积
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  • 4个形貌
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机构

  • 12个杭州士兰集成...
  • 1个杭州士兰微电...

资助

  • 1个国家科技重大...

传媒

  • 3个2014`全...
  • 2个中国集成电路
  • 1个半导体技术

地区

  • 12个浙江省
共 12 条 记 录，以下是 1-10
杨彦涛
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司
研究主题：沟槽 功率器件 功率半导体器件 半导体 接触孔
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈元金
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司
研究主题：氧化硅薄膜 氮化硅薄膜 硅基底 淀积 BIPOLAR
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
江宇雷
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司
研究主题：形貌 半导体器件 刻蚀 测试仪 氧化层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩健
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司
研究主题：IGBT器件 发射极 槽栅 发射区 反向二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李庆华
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司
研究主题：沟槽 功率器件 接触孔 线宽 淀积
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
夏志平
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司
研究主题：功率器件 沟槽 半导体器件 功率半导体器件 隔离层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
雷辉
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司
研究主题：淀积 电阻 电流密度 熔丝 熔断
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈琛
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司
研究主题：功率半导体器件 沟槽 屏蔽导体 栅极 槽栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘慧勇
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司
研究主题：发射区 外延层 功率半导体器件 IGBT器件 介质层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王平
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司
研究主题：外延层 功率半导体器件 沟槽 导电类型 掺杂
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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