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陈弘达

作品数：440 被引量：578H指数：11
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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裴为华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：电极 垂直腔面发射激光器 绝缘层 植入 植入式
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黄北举
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：金属接触 石墨烯 CMOS 波导结构 光互连
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陈雄斌
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：可见光通信 可见光 通信系统 半导体照明 甚短距离
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张旭
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：CMOS 耦合电容 神经信号 电极 反馈网络
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
唐君
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：垂直腔面发射激光器 并行光传输 VCSEL 并行光发射模块 甚短距离
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王春霞
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：光子晶体 单模 垂直腔面发射半导体激光器 垂直腔面发射 电子束曝光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许兴胜
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：光子晶体 二维光子晶体 垂直腔面发射激光器 键合 聚合物光纤
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
阚强
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：光子晶体 单模 垂直腔面发射激光器 垂直腔面发射 垂直腔面发射半导体激光器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴荣汉
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 多量子阱 垂直腔面发射激光器 GAAS/GAALAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
毛陆虹
供职机构：天津大学
研究主题：光接收机 CMOS 标准CMOS工艺 光互连 CMOS工艺
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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