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刘嵘侃

作品数：24 被引量：33H指数：3
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地区

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  • 1个四川省
共 49 条 记 录，以下是 1-10
唐昭焕
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：半导体 深槽 功率VDMOS器件 功率MOSFET器件 导电类型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐炀
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：平行缝焊 半导体器件 烘培 封装 储能焊
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张静
供职机构：中国电子科技集团
研究主题：SIGE_HBT SIGE 异质结双极晶体管 半导体 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谈侃侃
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：半导体器件 烘培 封装 键合 电子封装
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐世六
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：比较器 逐次逼近型模数转换器 采样开关 逐次逼近型 SAR_ADC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘勇
供职机构：电子科技大学
研究主题：W波段 深槽 氮化镓 半导体 毫米波
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谭开洲
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：半导体 深槽 VDMOS SIGE 半导体器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郝跃
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘道广
供职机构：清华大学
研究主题：SIGE_HBT SIGE HBT VDMOS器件 自对准
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
崔伟
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：半导体 深槽 漂移区 场效应 掺杂
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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