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应贤炜

作品数:5 被引量:9H指数:3
供职机构:南京电子器件研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术更多>>

领域

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主题

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  • 11个功率晶体管
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  • 6个电路
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机构

  • 15个南京电子器件...
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  • 1个中国电子科技...

资助

  • 7个国家自然科学...
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  • 3个国家高技术研...
  • 2个江苏省自然科...
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传媒

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地区

  • 15个江苏省
15 条 记 录,以下是 1-10
王佃利
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:硅 微波功率晶体管 LDMOS 硅脉冲功率晶体管 功率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘洪军
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:硅 LDMOS 金属-氧化物-半导体 脉冲 L波段
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
严德圣
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:硅 LDMOS 脉冲 L波段 金属-氧化物-半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
梅海
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:LDMOS 硅 微波功率晶体管 千瓦级 大功率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
丁晓明
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:硅 功率管 大功率管 微波脉冲 脉冲
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李相光
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:硅 硅脉冲功率晶体管 双极晶体管 功率晶体管 LDMOS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨立杰
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:MMIC 砷化镓 GAAS 可变衰减器 相移
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蒋幼泉
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:砷化镓 GAAS SIC_MESFET 单片 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王建浩
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:功率管 L波段 GAN P波段 长脉宽
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吕勇
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:硅 LDMOS 微波脉冲 功率 射频功率器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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