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高建峰

作品数：46 被引量：68H指数：5
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李拂晓
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 单片 开关 MESFET
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杨乃彬
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 射频开关 HFET GAN
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陈效建
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：MMIC 砷化镓 PHEMT 功率放大器 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄念宁
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 GAAS PHEMT 孤子解 低噪声放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张有涛
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：INP GAAS 超高速 数模转换器 磷化铟
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夏冠群
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：砷化镓 GAAS MESFET 离子注入 红外探测器
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邹鹏辉
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：电子束蒸发 GAAS INP基 金膜 TI
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陈辰
供职机构：东南大学
研究主题：高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN ALGAN/GAN_HEMT 氮化镓 4H-SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩春林
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：INP基 电子束光刻 MESFET 4H-SIC 空气桥
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蒋幼泉
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：砷化镓 GAAS SIC_MESFET 单片 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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