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章军云

作品数：14 被引量：33H指数：3
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信化学工程更多>>

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地区

  • 17个江苏省
共 17 条 记 录，以下是 1-10
陈堂胜
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 氮化镓 砷化镓 GAN ALGAN/GAN_HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林罡
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 太赫兹 GAN 微光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄念宁
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 GAAS PHEMT 孤子解 低噪声放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
任春江
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 氮化镓 ALGAN/GAN_HEMT ALGAN/GAN GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴少兵
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAN 电子束直写 低噪声放大器 GAN高电子迁移率晶体管 功率放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王维波
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：W波段 MMIC 太赫兹 GAN 功率放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
彭龙新
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：微波单片集成电路 低噪声放大器 单片 GAAS 单片低噪声放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高建峰
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAAS 砷化镓 PHEMT INP基 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱赤
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：分辨率 光刻胶 流淌 线宽 特征尺寸
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张凯
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAN 太赫兹 肖特基二极管 射频器件 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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