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周建军

作品数:84 被引量:57H指数:4
供职机构:南京电子器件研究所更多>>
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领域

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主题

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地区

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孔月婵
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:金刚石 衬底 二维电子气 高电子迁移率晶体管 氮化镓晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李忠辉
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:氮化镓 GAN MOCVD 二维电子气 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈堂胜
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:高电子迁移率晶体管 氮化镓 砷化镓 GAN ALGAN/GAN_HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑有炓
供职机构:南京大学
研究主题:GAN 氮化镓 衬底 蓝宝石 MOCVD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张荣
供职机构:南京大学
研究主题:GAN 氮化镓 蓝宝石 氢化物气相外延 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
董逊
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:氮化镓 高电子迁移率晶体管 二维电子气 势垒 成核
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
江若琏
供职机构:南京大学电子科学与工程学院固体微结构物理国家重点实验室
研究主题:蓝宝石 氮化镓 衬底 MOCVD ALGAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩平
供职机构:南京大学
研究主题:蓝宝石 化学气相淀积 氢化物气相外延 生长温度 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谢自力
供职机构:南京大学
研究主题:蓝宝石 GAN 氢化物气相外延 生长温度 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孔岑
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:SI基 MMIC ALGAN/GAN_HEMT ALGAN 过渡层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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