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刘道广

作品数：72 被引量：88H指数：6
供职机构：清华大学更多>>
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共 121 条 记 录，以下是 1-10
张静
供职机构：中国电子科技集团
研究主题：SIGE_HBT SIGE 异质结双极晶体管 半导体 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
严利人
供职机构：清华大学
研究主题：晶圆片 半导体制造设备 激光 激光退火 半导体制造技术
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周伟松
供职机构：清华大学
研究主题：感应加热电源 电源 相位跟踪 VDMOS器件 软启动器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许军
供职机构：清华大学
研究主题：沟道 半导体结构 场效应晶体管 晶体管 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
万欣
供职机构：清华大学核能与新能源技术研究院
研究主题：VDMOS器件 功率MOSFET X射线 大功率 导通电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李开成
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：分子束外延 SIGE_HBT SIGE 异质结双极晶体管 自对准
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刘志弘
供职机构：清华大学
研究主题：双极晶体管 发射区 锗硅异质结双极晶体管 发射极 锗硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐世六
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：比较器 逐次逼近型模数转换器 采样开关 逐次逼近型 SAR_ADC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐婉静
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：PMOSFET SIGE SI 分子束外延 SIGE_HBT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郝跃
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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