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陈静

作品数：244 被引量：24H指数：3
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
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相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程医药卫生更多>>

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领域

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共 66 条 记 录，以下是 1-10
王曦
供职机构：清华大学
研究主题：衬底 SOI 硅 离子注入 绝缘体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗杰馨
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：晶体管 浮体效应 阈值电压 SOI 存储器单元
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
柴展
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：晶体管 阈值电压 驱动电流 SOI 本征
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
何伟伟
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：阈值电压 晶体管 驱动电流 存储器单元 浮体效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
伍青青
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：晶体管 浮体效应 SOI 芯片面积 欧姆接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吕凯
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：阈值电压 驱动电流 本征 栅氧化层 SOI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄建强
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：阈值电压 驱动电流 本征 栅氧化层 P型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张苗
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：石墨烯 绝缘体 衬底 离子注入 弛豫
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈猛
供职机构：清华大学
研究主题：注氧隔离 SOI 高温退火 SIMOX 低剂量
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
董业民
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI工艺 注氧隔离 抗辐射 绝缘体 静电保护电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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