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王海莉

作品数:6 被引量:2H指数:1
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
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17 条 记 录,以下是 1-10
牛智川
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:分子束外延 量子点 GAAS 超晶格 分子束外延生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
倪海桥
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:量子点 分子束外延 GAAS 纳米线 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱岩
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:衬底 缓冲层 INAS量子点 分子束外延生长 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
贺继方
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:INAS量子点 分子束外延 GAAS 量子线 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李密峰
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:衬底 INAS量子点 版图 分子束外延 反应物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
熊永华
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:INAS量子点 分子束外延 单光子 过渡层 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
尚向军
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:量子点 纳米线 单光子源 淀积 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐应强
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:超晶格 分子束外延 锑化物 红外探测器 INAS/GASB超晶格
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
窦秀明
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:量子点 单光子 半导体 双激子 金纳米颗粒
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王莉娟
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:纳米线 量子点 分子束外延生长 二氧化硅 光栅结构
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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