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王学毅

作品数：6 被引量：13H指数：2
供职机构：重庆中科渝芯电子有限公司更多>>
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地区

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共 16 条 记 录，以下是 1-10
杨永晖
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：深槽 半导体 介质层 多晶硅栅 功率VDMOS器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈俊
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：SOI 半导体集成电路 恒定跨导 集成电路 化学机械抛光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王飞
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：磁共振成像 双极晶体管 NPN双极晶体管 功耗电流 总剂量效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
冉明
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：双极工艺 淀积 深槽 掩蔽层 PN结
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张扬波
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：氧化物 欧姆接触 双极集成电路 双极电路 湿法腐蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘勇
供职机构：电子科技大学
研究主题：W波段 深槽 氮化镓 半导体 毫米波
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
欧宏旗
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：半导体结构 半导体材料 击穿电压 浅结 散结
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
唐昭焕
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：半导体 深槽 功率VDMOS器件 功率MOSFET器件 导电类型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴建
供职机构：重庆中科渝芯电子有限公司
研究主题：键合 SOI材料 SOI 压应力 绝缘体上硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谭开洲
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：半导体 深槽 VDMOS SIGE 半导体器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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