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陈洪钧

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供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>

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地区

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常虎东
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：衬底 沟道 界面态密度 迁移率 半导体器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩乐
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：二维光子晶体 硅基 光子禁带 衬底 超浅结
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王盛凯
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：微波等离子体 衬底 含氧气体 沟道 键合
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
薛百清
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：衬底 锗 III-V族 二维光子晶体 硅基
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张雄
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：二维光子晶体 硅基 光子禁带 介质柱 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘洪刚
供职机构：桂林电子科技大学
研究主题：沟道 迁移率 衬底 半导体器件 硅基
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郭浩
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：二维光子晶体 硅基 光子禁带 衬底 介质柱
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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