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梁琨

作品数：23 被引量：25H指数：4
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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共 26 条 记 录，以下是 1-10
吴荣汉
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 多量子阱 垂直腔面发射激光器 GAAS/GAALAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杜云
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：微腔激光器 多量子阱 激光器 INGAASP/INP GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈弘达
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：光子晶体 电极 垂直腔面发射激光器 硅基 CMOS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
唐君
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：垂直腔面发射激光器 并行光传输 VCSEL 并行光发射模块 甚短距离
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
毛陆虹
供职机构：天津大学
研究主题：光接收机 CMOS 标准CMOS工艺 光互连 CMOS工艺
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨晓红
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：雪崩光电探测器 GAAS 谐振腔增强型光电探测器 谐振腔增强型 光电探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邓晖
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：多量子阱 倒装焊 INGAAS/GAAS 光电子集成 RCE探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
裴为华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：电极 垂直腔面发射激光器 绝缘层 植入 植入式
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
申荣铉
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：垂直腔面发射激光器 VCSEL 并行光发射模块 10GBIT/S CMOS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王启明
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：硅基 锗 硅 半导体材料 硅衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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