2024年11月7日
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邓小川
作品数:
118
被引量:136
H指数:5
供职机构:
电子科技大学
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发文基金:
国家自然科学基金
广东省自然科学基金
国家重点基础研究发展计划
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相关领域:
电子电信
自动化与计算机技术
电气工程
文化科学
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合作作者
张波
电子科技大学微电子与固体电子学...
李轩
电子科技大学
李旭
电子科技大学
李肇基
电子科技大学微电子与固体电子学...
申华军
电子科技大学
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物理学报
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2011’全...
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电子学报
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张波
供职机构:电子科技大学
研究主题:功率半导体器件 半导体功率器件 电能传输系统 导电类型 无线
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李轩
供职机构:电子科技大学
研究主题:MOSFET器件 碳化硅 槽栅 开启电压 接触区
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研究领域
李旭
供职机构:电子科技大学
研究主题:热失控 碳化硅 电池 激光诱导击穿光谱 槽栅
发表作品
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所获资助
研究领域
李肇基
供职机构:电子科技大学
研究主题:击穿电压 功率器件 导电类型 SOI 功率半导体器件
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研究领域
陈茜茜
供职机构:电子科技大学
研究主题:VDMOS器件 碳化硅 栅介质 MOSFET器件 氧化层
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罗小蓉
供职机构:电子科技大学
研究主题:导通压降 关断损耗 槽栅 LIGBT SOI
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供职机构
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申华军
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:碳化硅 刻蚀 欧姆接触 INGAP/GAAS_HBT 肖特基二极管
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萧寒
供职机构:电子科技大学
研究主题:碳化硅 VDMOS器件 半导体技术 多晶硅 接触区
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甘志
供职机构:电子科技大学
研究主题:VDMOS器件 半导体技术 多晶硅 接触区 碳化硅
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所获资助
研究领域
陈壮梁
供职机构:电子科技大学
研究主题:击穿电压 金属半导体场效应晶体管 MESFET 4H-SIC SIC
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