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王文军

作品数：10 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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地区

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共 16 条 记 录，以下是 1-10
惠峰
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 抛光晶片 GAAS SI-GAAS 晶片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王军喜
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 衬底 氮化物 多量子阱
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高永亮
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：微缺陷 VGF LEC 单晶生长 温控设备
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李晋闽
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 衬底 多量子阱 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 电子阻挡层 成核 铟镓氮
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
纪攀峰
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 铝镓氮 掺杂 氮化物 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郭金霞
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 发光器件 欧姆接触电极 电极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孔庆峰
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：发光二极管 多量子阱 外延片 LED外延片 掩模
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
伊晓燕
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：发光二极管 氮化镓 多量子阱 衬底 蓝宝石
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王志宇
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：LEC法 GAAS材料 SI-GAAS 半绝缘砷化镓 半导体材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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