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李相光

作品数：18 被引量：46H指数：4
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信电气工程更多>>

合作作者

领域

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主题

  • 27个晶体管
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机构

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  • 1个中国电子科技...
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传媒

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地区

  • 30个江苏省
  • 1个北京市
共 31 条 记 录，以下是 1-10
王因生
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：硅 功率晶体管 硅脉冲功率晶体管 L波段 微波
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王佃利
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：硅 微波功率晶体管 LDMOS 硅脉冲功率晶体管 功率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
傅义珠
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：硅 硅脉冲功率晶体管 微波 功率晶体管 功率管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张树丹
供职机构：中国电子科技集团公司
研究主题：功率晶体管 硅 硅脉冲功率晶体管 双极晶体管 微波功率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘洪军
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：硅 LDMOS 金属-氧化物-半导体 脉冲 L波段
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
丁晓明
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：硅 功率管 大功率管 微波脉冲 脉冲
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
盛国兴
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：硅 微波 功率 大功率管 硅脉冲功率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
康小虎
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：硅脉冲功率晶体管 硅 功率晶体管 微波功率晶体管 L波段
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
严德圣
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：硅 LDMOS 脉冲 L波段 金属-氧化物-半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蒋幼泉
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：砷化镓 GAAS SIC_MESFET 单片 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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