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陆晶
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3
被引量:7
H指数:2
供职机构:
中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成重点实验室
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
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合作作者
刘明
中国科学院微电子研究所纳米加工...
陈宝钦
中国科学院微电子研究所纳米加工...
龙世兵
中国科学院微电子研究所纳米加工...
李泠
中国科学院微电子研究所纳米加工...
王云翔
中国科学院微电子研究所纳米加工...
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刘明
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:存储器 电极 衬底 电子束光刻 介质层
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陈宝钦
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:电子束光刻 电子束直写 电子束曝光 抗蚀剂 电子束
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李泠
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:存储器 晶体管 电极 沟道 介质层
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龙世兵
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:存储器 电极 浮栅 非挥发性 电子束直写
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王云翔
供职机构:中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成重点实验室
研究主题:移相掩模技术 移相掩模 分辨率 光刻 交替式
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康晓辉
供职机构:中国科学院
研究主题:掩模制作 铬 集成电路
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叶甜春
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:X射线光刻 沟道 半导体器件 版图 衬底
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谢常青
供职机构:中国科学院
研究主题:LPCVD 掩模制作 铬 X射线光刻掩模 X射线
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陈大鹏
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 刻蚀 沟道 焦平面阵列 MEMS
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