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王凤莲

作品数：7 被引量：12H指数：3
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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共 27 条 记 录，以下是 1-10
郑厚植
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 半导体 量子点 GAAS GA
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈宗圭
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 自组织生长 GAAS 砷化铟 量子点
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
段晓峰
供职机构：中国科学院物理研究所
研究主题：透射电子显微镜 电子能量损失谱 应变层超晶格 磁畴 电子全息
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吕振东
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：自组织生长 砷化镓 砷化铟 INAS/GAAS 量子点
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邓元明
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：自组织生长 砷化铟 量子点 微腔 INAS量子点
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐仲英
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 量子点 INGAAS/GAAS 自组织生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王志明
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子点 砷化镓 自组织生长 砷化铟 INAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
封松林
供职机构：中国科学院上海高等研究院
研究主题：相变存储器 相变材料 相变 电阻 存储器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宋春英
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 GAAS/GAALAS 红外探测器 INAS/GAAS量子点 GAALAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
江德生
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：超晶格 砷化镓 衬底 量子点 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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