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马红芝

作品数：4 被引量：6H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：上海市教育委员会创新基金更多>>
相关领域：电气工程电子电信理学生物学更多>>

合作作者

领域

  • 14个电子电信
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主题

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  • 11个总剂量
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  • 10个总剂量辐射
  • 10个离子注入
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  • 5个单粒子
  • 5个单粒子翻转
  • 5个电离辐射效应

机构

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资助

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传媒

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地区

  • 11个北京市
  • 2个上海市
  • 1个山东省
共 14 条 记 录，以下是 1-10
李国花
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：SIMOX SOI 注氮 全耗尽 SIO
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张恩霞
供职机构：上海工程技术大学材料工程学院
研究主题：SOI SIMOX 绝缘体上硅 SOI材料 抗辐照
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑中山
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：绝缘体上硅 SIMOX SOI 埋氧层 注氮
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘忠立
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI FPGA 集成电路 SIMOX 现场可编程门阵列
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李宁
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：SOI SIMOX 总剂量辐射 注氮 全耗尽
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
唐海马
供职机构：济南大学物理科学与技术学院
研究主题：注氧隔离 SOI材料 埋氧层 注氮 SOI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈克铭
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化硅膜 氢含量 敏感特性 PH-ISFET 传感器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
梁桂荣
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：SIO 二氧化硅 可靠性 热氧化 MOS电容
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张国强
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：SIMOX SOI 氮 SIMON 离子注入
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张正选
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI 总剂量辐射效应 MOS器件 绝缘体上硅 总剂量效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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