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董逊

作品数:92 被引量:58H指数:4
供职机构:南京电子器件研究所更多>>
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地区

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66 条 记 录,以下是 1-10
李忠辉
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:氮化镓 GAN MOCVD 二维电子气 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李亮
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:MOCVD GAN薄膜 二维电子气 ALGAN ALGAN/GAN
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周建军
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:氮化镓 GAN ALGAN ALGAN/GAN 分布布拉格反射镜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈辰
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN ALGAN/GAN_HEMT 氮化镓 4H-SIC
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张东国
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:MOCVD GAN薄膜 SIC衬底 二维电子气 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
彭大青
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:MOCVD GAN薄膜 SIC衬底 二维电子气 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孔月婵
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:金刚石 衬底 二维电子气 高电子迁移率晶体管 氮化镓晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李忠辉
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:氮化物 成核 单晶薄膜 氮化镓 氮化铝
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈堂胜
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:高电子迁移率晶体管 氮化镓 砷化镓 GAN ALGAN/GAN_HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈辰
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:势垒 高电子迁移率晶体管 4H-SIC 碳 硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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