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查国伟

作品数：9 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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合作作者

领域

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地区

  • 19个北京市
共 19 条 记 录，以下是 1-10
倪海桥
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子点 分子束外延 GAAS 纳米线 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
喻颖
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：纳米线 量子点 淀积 INAS量子点 分子束外延生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
牛智川
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 量子点 GAAS 超晶格 分子束外延生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李密锋
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：纳米线 淀积 分子束外延生长 二氧化硅 量子点
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王莉娟
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：纳米线 量子点 分子束外延生长 二氧化硅 光栅结构
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐建星
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：纳米线 GAAS 量子点 淀积 二氧化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
尚向军
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子点 纳米线 单光子源 淀积 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
丁颖
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：激光器 半导体光放大器 超短脉冲激光器 有源 INGAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐建新
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：超短脉冲激光器 饱和吸收体 半导体放大器 二氧化硅材料 势垒
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邢军亮
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：锑化物 超晶格材料 分子束外延 INAS/GASB超晶格 分子束外延生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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