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王强

作品数:15 被引量:53H指数:5
供职机构:山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术理学自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 15篇中文期刊文章

领域

  • 10篇电子电信
  • 5篇一般工业技术
  • 3篇理学
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 7篇发光
  • 5篇光致
  • 5篇光致发光
  • 5篇发光特性
  • 4篇电化学腐蚀
  • 4篇化学腐蚀
  • 4篇溅射
  • 4篇
  • 4篇磁控
  • 3篇光致发光特性
  • 2篇荧光
  • 2篇碳化硅
  • 2篇离子注入
  • 2篇纳米
  • 2篇蓝光
  • 2篇蓝光发射
  • 2篇光电
  • 2篇光发射
  • 2篇发光中心
  • 2篇磁控共溅射

机构

  • 15篇山东师范大学

作者

  • 15篇王强
  • 12篇石礼伟
  • 12篇李玉国
  • 9篇薛成山
  • 6篇孙海波
  • 4篇庄惠照
  • 3篇孙振翠
  • 2篇裴素华
  • 1篇郭兴龙
  • 1篇王书运
  • 1篇王建波
  • 1篇魏芹芹
  • 1篇曹玉萍
  • 1篇李忠
  • 1篇曹文田
  • 1篇李怀祥
  • 1篇张秋霞
  • 1篇孙钦军

传媒

  • 6篇微纳电子技术
  • 3篇半导体光电
  • 2篇Journa...
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2006
  • 1篇2005
  • 6篇2004
  • 7篇2003
15 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
磁控共溅射SiC纳米颗粒/SiO_2基质镶嵌结构薄膜材料的微结构和光致发光特性被引量:4
2005年
采用二氧化硅/碳化硅复合靶,用射频磁控共溅射技术和后高温退火的方法在Si(111)衬底上制备了碳化硅纳米颗粒/二氧化硅基质(nc-SiC/SiO2)镶嵌结构薄膜材料,用X射线衍射(XRD),傅里叶红外吸收(FTIR),扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)实验分析了薄膜的微结构以及光致发光特性。结果表明:样品薄膜经高温退火后,部分无定形SiC发生晶化,形成β-SiC纳米颗粒而较均匀地镶嵌在SiO2基质中。以280nm波长光激发薄膜表面,有较强的365nm的紫外光发射以及458nm和490nm处的蓝光发射,其发光强度随退火温度的升高显著增强,发光归结为薄膜中与Si-O相关的缺陷形成的发光中心。
石礼伟李玉国王强薛成山庄惠照
关键词:磁控共溅射微观结构光致发光
碳化硅宽带隙半导体材料生长技术及应用(英文)被引量:1
2003年
概括了宽带隙半导体材料碳化硅的主要特性及生长方法,介绍了其在微电子及光电子领域的应用,并对其发展动态及存在问题进行了简要评述。
王强李玉国石礼伟孙海波
关键词:碳化硅宽带隙半导体材料光电子学微电子
注碳外延硅的荧光特性研究
2006年
研究了注碳外延硅经氢气退火及电化学腐蚀处理后的荧光特性。经能量为50keV,剂量为2×1016cm-2的碳离子注入后的外延单晶硅片,在氢气氛下高温退火及电化学腐蚀处理。荧光谱仪分析表明电化学腐蚀是蓝光发射的前提,并且不同的电化学腐蚀条件对发光强度和峰位影响极大。不同的激发光波长亦可影响发光谱的峰位。
李玉国孙钦军曹玉萍王强王建波张秋霞
关键词:离子注入电化学腐蚀蓝光发射发光中心
Si(111)衬底上生长GaN晶绳的研究被引量:1
2003年
利用热壁化学气相沉积在Si(111)衬底上获得GaN晶绳,采用傅里叶红外吸收谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、选区电子衍射(SAED)。X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)对晶绳进行组成、结构、形貌和光学特性分析。初步结果证明:在Si(111)衬底上获得择优生长的六方纤锌矿结构的GaN晶绳。SEM显示在均匀的薄膜上出现φ6μm的晶绳,FTIR显示GaN薄膜的主要成分为GaN同时含有少量的C污染,由XRD和SAED的综合分析得出晶绳呈六方纤锌矿单晶结构,PL测试表明晶绳呈现不同于GaN薄膜的发光特性。
曹文田孙振翠魏芹芹薛成山王强
关键词:氮化镓SEMSAEDXRD光致发光谱
注碳外延硅光致蓝光发射研究
2003年
 N型外延硅经过碳注入、氢气氛下高温退火和电化学腐蚀后,发出峰值波长位于431nm左右的蓝色荧光。随电化学腐蚀条件的变化,蓝色荧光峰先变强后消失,并出现位于716nm处的红光峰。研究认为样品中C=O复合体杂质镶嵌在退火过程所形成的纳米硅颗粒的表面而形成的纳米硅镶嵌结构导致了蓝光发射。
李玉国王强石礼伟薛成山
关键词:电化学腐蚀
激发波长和电化学腐蚀对注碳外延硅荧光特性的影响
2004年
电化学腐蚀是蓝光发射的前提,但不同的电化学腐蚀条件对发光强度和峰位影响极大,随着电化学腐蚀条件的加强,蓝光峰将被红光峰代替。激发光波长亦可影响蓝光发射,如260nm的激发光将引起在360nm光激发下所获得的431nm蓝光峰的蓝移。
王强李忠李玉国石礼伟郭兴龙
关键词:激发波长电化学腐蚀蓝光发射荧光特性
Synthesis of One-Dimensional ZnO Na norods by Oxidating Zinc Films Deposited with Magnetron Sputtering被引量:6
2004年
One-dimensional ZnO nanorods are synthesized by ox idating thin metal zinc films deposited on Si(111) substrates with radio frequen cy magnetron sputtering.The crystal structure,surface morphology,and optical pro perties of nanorods are investigated.X-ray diffraction(XRD) pattern,scanning el ectron microscopy(SEM),and transmission electron microscopy(TEM) analyses show t hat the synthesized single-crystal ZnO nanorods develop like hairpins along dif ferent radials,with a hexagonal wurtzite structure.The diameters of nanorods ran ge between 30 and 60nm and lengths up to micrometers.Photoluminescence(PL) analy sis shows that,under 280nm light excitation,a strong and sharp near band-edge U V light emission band at 372nm and a relatively weak green deep-level light emi ssion band at 516nm are observed from the ZnO nanorods,which indicates excellent crystallization and optical quality of the fabricated ZnO nanorods.
石礼伟李玉国王强薛成山王书运
关键词:ZNO
磁控溅射碳化硅膜的制备及其光致发光特性被引量:6
2004年
 采用磁控溅射方法制备了SiC薄膜,然后采用电化学方法将其腐蚀后获得具有纳米结构的多孔碳化硅。样品的PL谱表明,未经电化学腐蚀的薄膜能发出弱的紫光,峰值在392nm;当样品用电化学的方法腐蚀后,获得位于376nm的紫外光发射,且发光强度得到极大提高。
李玉国王强石礼伟孙海波薛成山庄惠照
关键词:SIC磁控溅射电化学腐蚀
Nb^(5+)掺杂与热处理对TiO_2基材料气敏特性的影响被引量:3
2004年
TiO2是响应三甲胺(TMA)气体最佳的金属氧化物半导体材料,为保持TiO2基TMA旁热式气敏器件具有较高灵敏度和较低空气阻值(Ra),相应降低器件加热功率RH,本文通过N2气氛高温退火、高价Nb5+掺杂和长时间烧结等方法,提高TiO2基敏感材料电导率获得成功。实验与理论证明:降低氧分压可增强TiO2自身半导化程度;掺入10%左右Nb2O5,Nb5+替代Ti4+形成固溶体,可使TiO2得到最佳半导化效果;采用长时间的烧结处理,促使Ti3+转化为Ti4+,进一步提高材料电导率和器件稳定性,从而为制造低阻、高灵敏度、高选择性动物食品测鲜传感器开辟了一条新途径。
裴素华孙海波王强孙振翠石礼伟
关键词:TIO2
nc-SiC/SiO_2镶嵌薄膜材料的制备、结构和发光特性被引量:6
2004年
采用二氧化硅/碳化硅复合靶,用射频磁控共溅射技术和后高温退火的方法在Si(111)衬底上制备了碳化硅纳米颗粒/二氧化硅基质(nc-SiC/SiO2)镶嵌结构薄膜材料。用X射线衍射(XRD),傅里叶红外吸收(FTIR),扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)实验分析了薄膜的微结构以及光致发光特性。实验结果表明,样品薄膜经高温退火后,部分无定形SiC发生晶化,形成β-SiC纳米颗粒而较均匀地镶嵌在SiO2基质中。以280nm波长光激发薄膜表面,有较强的365nm的紫外光发射以及458nm和490nm处的蓝光发射,其发光强度随退火温度的升高显著增强,发光归结为薄膜中与Si—O相关的缺陷形成的发光中心。
石礼伟李玉国王强薛成山庄惠照
关键词:磁控共溅射光致发光
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