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文献类型

  • 6篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇射频
  • 3篇电流复用
  • 3篇运算放大器
  • 3篇增益
  • 3篇增益放大
  • 3篇增益放大器
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  • 3篇前馈补偿
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  • 1篇导航卫星
  • 1篇导航卫星系统
  • 1篇低噪

机构

  • 8篇中国电子科技...
  • 1篇河北博威集成...

作者

  • 8篇王帅
  • 4篇叶向阳
  • 3篇王川宝
  • 3篇高博
  • 2篇张力江
  • 2篇商庆杰
  • 2篇杨志
  • 2篇李亮
  • 2篇王敬轩
  • 1篇彭海涛
  • 1篇默江辉
  • 1篇胥超
  • 1篇崔玉兴
  • 1篇赵永林
  • 1篇左玉多
  • 1篇杜少博
  • 1篇徐爱东
  • 1篇付兴中
  • 1篇蒋红旺
  • 1篇曾志

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2017
  • 3篇2015
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
碳化硅晶圆高温磁控溅射制备铝薄膜异常结晶现象
2024年
在碳化硅表面使用高温磁控溅射法制备铝薄膜过程中有时会出现异常“斑点”现象,针对出现该异常现象可能的原因进行了研究,确认其主要因素为溅射温度和溅射功率,SiC表面状态和金属体系对异常现象的出现影响很小。采用白光干涉仪测定正常和异常区域表面形貌和粗糙度,结果表明“斑点”区域粗糙度明显低于正常区域,两者分别为1.7和5.6 nm。采用聚焦离子束分析技术对比剖面结构差异,发现“斑点”区域存在明显晶粒合并现象,金属表面晶界比正常区域少很多。“斑点”形成的可能原因是沉积过程温度过高,导致Al膜沉积初始成核过程中大量晶核合并、晶界消失,从而表面粗糙度显著降低。
王川宝默江辉默江辉王帅张力江王帅
关键词:磁控溅射
温补衰减器电路、射频设备及温补衰减方法
本发明涉及衰减器技术领域,公开了一种温补衰减器电路、射频设备及温补衰减方法,温补衰减器电路包括控制电压产生电路和衰减电路;控制电压产生电路与衰减电路连接,衰减电路用于接入目标器件的输出信号;控制电压产生电路,用于基于目标...
王帅孙海涛高辉卢东旭曾志
硅基三维电容及其制作方法
本发明提供一种硅基三维电容及其制作方法,其中制作方法包括在一硅衬底的表面制备一层介质掩膜层,并在介质掩膜层上刻蚀多个间隔排列的刻蚀微孔直至露出硅衬底;采用深硅刻蚀工艺,对多个间隔排列的刻蚀微孔进行刻蚀,以形成多个间隔排列...
杨志董春晖崔玉兴王敬轩韩孟序王川宝王帅王敏康建波解涛杨双龙王利芹商庆杰李亮张丹青丁现朋李庆伟张发智刘青林刘冠廷冯立东于峰涛宋红伟任永晓王国清杜少博
一款低噪声卫星导航接收机射频前端的设计被引量:6
2015年
基于0.18μm RF CMOS工艺,采用低中频系统结构,设计了一款可应用于全球定位导航系统(GPS)L1频段和北斗二代(BD2)B1频段的低噪声卫星导航接收机的射频模拟前端芯片。该前端包括低噪声放大器、无源混频器、中频放大器、复数带通滤波器和数控可变增益放大器。其中低噪声放大器采用电流舵技术,与无源混频器一起,提高了射频前端的1dB压缩点输入功率(Pi(1dB)),有效地改善了系统的线性度。测试结果显示,在GPSL1频点,系统的最大增益107.2dB,噪声系数达到1.8dB,动态增益66dB,镜像抑制比约为39.54dB,Pi(1dB)为-41dBm,电源为1.8V时,消耗电流16mA,芯片面积1.7mm×0.8mm。
左玉多王帅叶向阳
关键词:接收机低中频低噪声
电流复用型前馈补偿全差分运算放大器
本实用新型公开了一种电流复用型前馈补偿全差分运算放大器,属于全差分运算放大器技术领域,它包括第一增益级、第二增益级、前馈级和共模反馈电路,其中前馈级与第二增益级互为负载且电流复用,本实用新型能够显著地降低整个运放的功耗,...
王帅叶向阳高博曲韩宾吴兰
文献传递
电流复用型前馈补偿全差分运算放大器
本发明公开了一种电流复用型前馈补偿全差分运算放大器,属于全差分运算放大器技术领域,它包括第一增益级、第二增益级、前馈级和共模反馈电路,其中前馈级与第二增益级互为负载且电流复用,本发明能够显著地降低整个运放的功耗,同时实现...
王帅叶向阳高博曲韩宾吴兰
文献传递
电流复用型前馈补偿全差分运算放大器
本发明公开了一种电流复用型前馈补偿全差分运算放大器,属于全差分运算放大器技术领域,它包括第一增益级、第二增益级、前馈级和共模反馈电路,其中前馈级与第二增益级互为负载且电流复用,本发明能够显著地降低整个运放的功耗,同时实现...
王帅叶向阳高博曲韩宾吴兰
文献传递
一种硅基多层电容及其制备方法
本发明提供一种硅基多层电容及其制备方法。该制备方法通过在交替生长的牺牲层、导电多晶硅层中制备导电多晶硅柱,作为结构支撑。通过第二通孔,释放牺牲层后,将导电多晶硅层、导电多晶硅柱构成的第一多层横向极板的表面作为原位替换基础...
董春晖杨志张力江王敬轩韩孟序王川宝王帅王敏康建波解涛杨双龙王利芹商庆杰李亮胥超徐爱东付越东王敬松赵永林张奇刘浩郝腾彭海涛张铮辉蒋红旺
共1页<1>
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