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王宇

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 1篇单片
  • 1篇单片集成
  • 1篇整流
  • 1篇整流器
  • 1篇正向压降
  • 1篇势垒
  • 1篇数模
  • 1篇芯片
  • 1篇开关芯片
  • 1篇可靠性
  • 1篇工艺技术
  • 1篇功率开关
  • 1篇反向恢复
  • 1篇SPIC

机构

  • 3篇电子科技大学

作者

  • 3篇王宇
  • 2篇李泽宏
  • 1篇周春华
  • 1篇廖忠平
  • 1篇易黎
  • 1篇吕沛
  • 1篇任良彦
  • 1篇钱梦亮
  • 1篇谢刚
  • 1篇翟向坤

传媒

  • 1篇电子技术应用
  • 1篇微电子学
  • 1篇四川省电子学...

年份

  • 2篇2008
  • 1篇2006
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
高速触发、时间内插数模微系统集成
2006年
基于厚膜集成技术,实现具有高速触发和时间内插功能的数模微系统的集成。该系统触发和采样时钟的频率达到500MHz,触发晃动小于10%div,内插时间分辨率小于20ps。
王宇翟向坤李泽宏
一种用于SPIC的高压BCD工艺技术
开发700V高压BCD(BJT/CMOS/DMOS)工艺技术。该工艺在CMOS工艺基础上主要增加As埋层注入、p_top降场层注入以及Pbase注入等工艺步骤，可实现高压DMOS、低压BJT、低压CMOS器件的单片集成。...
任良彦王宇
关键词：单片集成功率开关开关芯片
文献传递
一种新型超势垒整流器
2008年
提出了一种新型的超势垒整流器(SBR)。对SBR结构势垒进行了理论分析,建立了该器件正向压降的解析式,并设计了该器件的工艺流程。仿真结果表明:SBR的正向压降和功耗比常规PN结二极管小,反向恢复特性优于常规PN结二极管;SBR比肖特基二极管的可靠性高。该分析可以很好地指导这类整流器件的设计。
谢刚廖忠平李泽宏周春华钱梦亮吕沛王宇易黎
关键词：正向压降反向恢复可靠性
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