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文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 4篇带隙基准
  • 3篇带隙基准源
  • 3篇温度系数
  • 3篇基准源
  • 2篇带隙基准电压
  • 2篇运算放大器
  • 2篇基准电压
  • 2篇放大器
  • 1篇低电压
  • 1篇电荷泵
  • 1篇电压
  • 1篇软启动
  • 1篇曲率补偿
  • 1篇热保护
  • 1篇温度补偿
  • 1篇开关电容
  • 1篇PTAT电流
  • 1篇BICMOS
  • 1篇CMOS带隙
  • 1篇CMOS带隙...

机构

  • 4篇电子科技大学

作者

  • 4篇杨永豪
  • 1篇陆小飞
  • 1篇郑儒富
  • 1篇张波
  • 1篇罗萍
  • 1篇俞永康
  • 1篇张超

传媒

  • 2篇电子科技
  • 1篇微电子学

年份

  • 3篇2006
  • 1篇2005
5 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
一种低电压CMOS带隙基准源的分析与设计被引量:2
2005年
分析了一种无需低阈值电压器件的低压CMOS带隙基准源结构,通过具体电路分析和设计验证了该结构相比于传统的基准源结构可以大大降低电源电压。基于0.5um商用标准CMOS工艺,使用Hspice仿真该电路得到结果为:最低电源电压为1.45V、输出基准电压604mV、温漂12PPM/℃。
杨永豪
关键词:CMOS带隙基准温度系数低电压PTAT电流
一种1.8ppm/℃曲率补偿BiCMOS带隙基准源被引量:4
2006年
介绍了一种基于BiCMOS工艺的新型温度补偿技术。该技术充分利用了PN结反向饱和电流是温度敏感函数的特性,使用简单的电路结构,达到了很好的温度特性和电源抑制性能。该电路结构产生的带隙基准电压在-40~125℃范围内使用HSPICE进行仿真,得到的温度系数仅有1.8ppm/℃。
郑儒富张波俞永康杨永豪陆小飞
关键词:BICMOS温度补偿带隙基准电压温度系数
一种自偏置电流CMOS基准源的分析与设计被引量:8
2006年
采用了一种结构新颖的CMOS基准源结构,该电路结构利用带隙基准结构产生的高精度PTAT电流作为内部OPAMP的自偏置电流,从而省去了PTAT电流产生电路,使芯片面积更小,基准电流更加接近理想的PTAT电流。该电路结构产生的带隙基准电压温漂达到18.8PPM/℃,PTAT电流几乎与电源电压无关。
张超罗萍杨永豪
关键词:带隙基准电压运算放大器温度系数
自动升/降压50mA开关电容电荷泵的设计
小型化和多功能是便携式电子产品的发展趋势,因此要求DC/DC转换器具有高效率、低静态电流、小的板级面积、小体积和低成本等特性。传统的电源管理方法是使用电感模式的DC/DC转换器,但是随着亚微米技术的发展和多层陶瓷大电容的...
杨永豪
关键词:电荷泵带隙基准源运算放大器热保护软启动
文献传递
共1页<1>
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