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张彦芳
作品数:
10
被引量:0
H指数:0
供职机构:
南京大学
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相关领域:
电子电信
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合作作者
叶建东
南京大学
朱顺明
南京大学
顾书林
南京大学
任芳芳
南京大学
郑有炓
南京大学
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机构
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南京大学
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华莹电子有限...
作者
10篇
张彦芳
7篇
任芳芳
7篇
顾书林
7篇
朱顺明
7篇
叶建东
4篇
汤琨
4篇
张荣
4篇
郑有炓
2篇
徐阳
2篇
沈洋
1篇
唐东明
1篇
杨燚
年份
1篇
2021
5篇
2019
2篇
2018
2篇
2017
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10
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一种基于氧化镓偏振选择特性的带通日盲紫外探测器及其制备方法
基于氧化镓偏振选择特性的带通日盲紫外探测器,包括β相的氧化镓衬底、金属(Au)叉指状电极、绝缘介质钝化层和另一同晶体取向的β相氧化镓单晶滤光片,在(100)、(001)或(010)β相的单晶衬底上沉积金属得到叉指状电极阵...
叶建东
陈选虎
徐阳
马同川
张彦芳
任芳芳
朱顺明
顾书林
张荣
郑有炓
文献传递
基于非晶氧化镓薄膜的日盲紫外探测器及其制备方法
本发明公开了一种基于非晶氧化镓薄膜的柔性日盲紫外探测器,探测器以高分子(如PET、聚酰亚胺)薄膜或织物为柔性衬底,使用超宽禁带半导体氧化镓(Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>)(半导体层)为光探测材料...
张彦芳
程东
叶建东
巩贺贺
陈选虎
任芳芳
朱顺明
顾书林
文献传递
基于氧化物异质结的极性溶剂化学传感器及制备方法
本发明公开了一种基于氧化物异质结的极性溶剂化学传感器,在衬底上制备ZnMgO/ZnO异质结构,通过光刻、热蒸发等半导体工艺在异质结构制作电极,形成肖特基‑欧姆接触的非对称无栅高电子迁移率晶体管(HEMT)结构的化学传感器...
叶建东
张彦芳
任芳芳
朱顺明
汤琨
顾书林
张荣
郑有炓
文献传递
基于非晶氧化镓薄膜的日盲紫外探测器及其制备方法
本发明公开了一种基于非晶氧化镓薄膜的柔性日盲紫外探测器,探测器以高分子(如PET、聚酰亚胺)薄膜或织物为柔性衬底,使用超宽禁带半导体氧化镓(Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>)(半导体层)为光探测材料...
张彦芳
程东
叶建东
巩贺贺
陈选虎
任芳芳
朱顺明
顾书林
文献传递
一种ZnO基自支撑薄膜的制备方法
一种ZnO基自支撑薄膜的制备方法,ZnO基薄膜是在蓝宝石衬底上使用MOCVD方法生长的外延层薄膜,采用先低温缓冲层然后现高温外延生长相结合的两步生长法,解决蓝宝石衬底与ZnO材料之间的失配;低温缓冲层厚度约为200‑40...
叶建东
张彦芳
任芳芳
朱顺明
唐东明
杨燚
顾书林
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ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED
一种ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED,以纳米图形化(PSS)蓝宝石作为外延基底,使用MOCVD方法生长ZnO低温缓冲层和ZnO高温外延层,以ZnO外延层作为高品质导电衬底,后续生长GaN紫外LED外延,LED...
叶建东
张彦芳
沈洋
卞岳
任芳芳
朱顺明
汤琨
顾书林
文献传递
ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED
一种ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED,以纳米图形化(PSS)蓝宝石作为外延基底,使用MOCVD方法生长ZnO低温缓冲层和ZnO高温外延层,以ZnO外延层作为高品质导电衬底,后续生长GaN紫外LED外延,LED...
叶建东
张彦芳
沈洋
卞岳
任芳芳
朱顺明
汤琨
顾书林
基于氧化物异质结的极性溶剂化学传感器及制备方法
本发明公开了一种基于氧化物异质结的极性溶剂化学传感器,在衬底上制备ZnMgO/ZnO异质结构,通过光刻、热蒸发等半导体工艺在异质结构制作电极,形成肖特基‑欧姆接触的非对称无栅高电子迁移率晶体管(HEMT)结构的化学传感器...
叶建东
张彦芳
任芳芳
朱顺明
汤琨
顾书林
张荣
郑有炓
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氧化物半导体光电特性、极化调控及柔性器件研究
以氧化锌(ZnO)、氧化镓(Ga2O3)为代表的宽禁带氧化物半导体具有独特的光电特性及高击穿场强、高电子饱和速率和抗辐照性好等优点,是短波长发光器件、日盲紫外探测器件、功率电子器件和透明显示器件应用的优选材料。同时极性氧...
张彦芳
关键词:
氧化物半导体
光电特性
二维电子气
一种基于氧化镓偏振选择特性的带通日盲紫外探测器及其制备方法
基于氧化镓偏振选择特性的带通日盲紫外探测器,包括β相的氧化镓衬底、金属(Au)叉指状电极、绝缘介质钝化层和另一同晶体取向的β相氧化镓单晶滤光片,在(100)、(001)或(010)β相的单晶衬底上沉积金属得到叉指状电极阵...
叶建东
陈选虎
徐阳
马同川
张彦芳
任芳芳
朱顺明
顾书林
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