汪振环
- 作品数：3 被引量：0H指数：0
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- 相关领域：理学电气工程电子电信化学工程更多>>
- S离子注入形成的缺陷对CdS纳米带的影响
- 2017年
- 为了探究缺陷对CdS纳米带性能产生的影响,本文通过简单、易行的化学气相沉积法(CVD)在硅基底上制备了CdS纳米带,将不同剂量的S离子注入到CdS纳米带中,并利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)、拉曼光谱(Raman)等分析样品的晶体结构,进一步通过光电性能的测试,研究S离子注入引入的缺陷对CdS纳米带性能产生的影响.结果表明,S离子注入引入的缺陷使CdS纳米带晶体质量发生变化,导致S离子注入后CdS纳米带的激子发光峰减弱,缺陷发光峰增强,并且它们之间的强度比随着注入剂量的改变可以进行调节.最后,通过对单根CdS纳米带场效应晶体管的转移特性曲线进行分析,证明了S离子注入引入的缺陷对CdS纳米带电学性能有较大影响,并进一步分析讨论了其对电学性能影响的机理.
- 汪振环徐进霞梅菲周远明刘凌云
- 关键词：离子注入光致发光场效应管
- 低维CdS纳米结构器件的制备及其光电性能研究
- 目前，微电子超大集成电路的特征尺寸已经从深亚微米级发展到纳米尺度。随着电子器件集成度的进一步提高，微电子器件物理和工艺面临诸如器件加工极限、加工费用的成倍增加以及器件工作原理发生变化等一系列严峻挑战，成为未来微电子工业发...
- 汪振环
- 关键词：硫化镉离子注入金属纳米颗粒光电性能
- 文献传递
- 硫离子注入对CdS纳米带光电性能影响研究
- Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米材料因其具有优异的物理性能和潜在的应用前景,受到了材料科学家的高度重视,而作为其典型代表的CdS更被认为是制备在可见光范围内能够广泛应用到光电器件上的优秀材料.室温下硫化镉的带隙约为2.42 eV,而且...
- 汪振环徐进霞
