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康俊杰

作品数：7 被引量：7H指数：1
供职机构：中国工程物理研究院应用电子学研究所更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 7篇激光
  • 6篇激光器
  • 6篇半导体
  • 6篇半导体激光
  • 6篇半导体激光器
  • 3篇衍射
  • 3篇衍射极限
  • 3篇波导
  • 2篇圆对称
  • 2篇片上集成
  • 2篇腔面
  • 2篇激光放大
  • 2篇光放大
  • 2篇光通量
  • 2篇光栅
  • 2篇光栅结构
  • 2篇反射镜
  • 2篇布拉格反射镜
  • 2篇衬底
  • 1篇多量子阱

机构

  • 7篇中国工程物理...

作者

  • 7篇李弋
  • 7篇高松信
  • 7篇杜维川
  • 7篇康俊杰
  • 7篇周坤
  • 6篇唐淳
  • 6篇谭昊
  • 4篇王昭
  • 2篇武德勇
  • 2篇彭珏
  • 2篇马毅
  • 2篇杨小波
  • 1篇郭林辉

传媒

  • 1篇光学学报

年份

  • 1篇2020
  • 4篇2019
  • 2篇2017
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
一种具有反波导层结构的半导体激光器及其制造方法
本发明提供了一种具有反波导层的半导体激光器及其制造方法，该方案包括有衬底、外延层、侧相反波导层、前腔面和后腔面；外延层设置在衬底顶面上；前腔面设置在衬底的一侧面上；所述后腔面设置在前腔面对侧的衬底侧面上；外延层上设置有凸...
李弋周坤杜维川康俊杰高松信武德勇胡耀张亮
文献传递
一种锥形半导体激光器
本发明提供了一种锥形半导体激光器，该方案包括有脊形区和锥形区；脊形区产生近衍射极限的种子激光，种子激光进入锥形区放大输出；锥形区的前腔面，即与脊形区连接的一端的腔面无反馈激光，锥形区单向放大种子激光。该方案可实现激光的单...
周坤杜维川康俊杰李弋谭昊王昭高松信唐淳
文献传递
一种片上集成级联放大半导体激光器
本发明公开了一种片上集成级联放大半导体激光器，其包括脊型区、片上DBR光栅结构、锥型区以及外延波导；DBR光栅结构设置于所述脊型区上；脊型区为脊型波导结构，锥型区为增益波导结构；外延波导具有一阶阶梯厚度，脊型区设置于外延...
唐淳周坤杜维川康俊杰李弋谭昊王昭高松信
文献传递
一种半导体激光器及其制作方法
本发明提供了一种半导体激光器及其制作方法，该方案包括有从下至上依次设置的n型衬底、n型第一下光学限制层、n型第一波导层、n型第二下光学限制层、n型第二下波导层、多量子阱有源区、p型第二上波导层、p型第二上光学限制层和p型...
周坤唐淳高松信马毅仁怀瑾李弋杜维川杨小波谭昊孟慧成彭珏康俊杰
文献传递
一种半导体激光器
本实用新型提供了一种半导体激光器，该方案包括有从下至上依次设置的n型衬底、n型第一下光学限制层、n型第一波导层、n型第二下光学限制层、n型第二下波导层、多量子阱有源区、p型第二上波导层、p型第二上光学限制层和p型接触层；...
周坤唐淳高松信马毅仁怀瑾李弋杜维川杨小波谭昊孟慧成彭珏康俊杰
文献传递
450 nm GaN基半导体激光器腔面反射率的优化被引量：7
2019年
分析腔面反射率对GaN基半导体激光器斜率效率和输出功率的影响,并对出射波长为450 nm的激光器进行实验验证。结果表明,对于非对称谐振腔结构,通过优化腔面反射率,可以抑制空间烧孔非线性效应,提高器件的微分量子效率和最大输出功率。当前腔面反射率为5%时,斜率效率大于1.3 W·A^-1,并在3 A的连续工作电流下,获得了2.6 W的高功率输出。
杜维川康俊杰康俊杰李弋谭昊胡耀周坤王昭郭林辉王昭郭林辉高松信
关键词：激光器半导体激光器GAN
一种片上集成级联放大半导体激光器
本发明公开了一种片上集成级联放大半导体激光器，其包括脊型区、片上DBR光栅结构、锥型区以及外延波导；DBR光栅结构设置于所述脊型区上；脊型区为脊型波导结构，锥型区为增益波导结构；外延波导具有一阶阶梯厚度，脊型区设置于外延...
唐淳周坤杜维川康俊杰李弋谭昊王昭高松信
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