王飞
- 作品数：5 被引量：2H指数：1
- 供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系更多>>
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- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 硅粉在冷等离子体中的刻蚀纯化
- 2007年
- 介绍了一种用直流辉光放电产生的冷等离子体对硅粉刻蚀纯化的方法。实验是在氩气氛中进行，结果表明硅粉纯度可由97．66％提高到98．47％。处理后的硅粉还可进行熔化-固化-粉碎再处理，因此是一种技术上可行的太阳级硅制备新方法。文中还应用反应室鞘层厚度、硅粉沉降平均速度、考虑高能粒子刻蚀作用的刻蚀速率方程等进行理论分析，结果显示，在一定的工艺参数下，刻蚀提纯是有效的。这也为粉体表面刻蚀研究提供了新的思路。
- 王家鑫尹盛王飞王敬义
- 关键词：直流冷等离子体
- 硅粉在带振动阴极反应室中的刻蚀
- 2007年
- 文中提供了带倾斜角振动171极的等离子体反应室及他用于刻蚀硅粉的实验结果。振动171极上硅粉的运动分析表明其在反应区滞留的时间可达数分钟之久，这就使低纯硅粉的纯化处理可一次完成。刻蚀速率模型几个关键公式的计算结果表明中性高能粒子的刻蚀效果不可忽视。理论分析与实验数据大致吻合，这证明新的反应室用于粉粒表面刻蚀和纯化都大大优于立式反应室。
- 王敬义尹盛赵亮赵伯芳王飞王家鑫
- 新型表面刻蚀装置的设计
- 随着化石能源的耗尽,太阳能将成为未来的主要能源。要在地面上普及太阳电池的应用,关键在于制作材料的廉价化。本学位论文围绕等离子体制备太阳级硅的技术开展了一系列研究工作。
平行电极反应室纯化硅的实验证明,硅粉在经过...
- 王飞
- 关键词：等离子体纯化技术
- 文献传递
- 直流氩等离子体硅粉纯化工艺的研究被引量：1
- 2007年
- 针对立式反应室、直流氩等离子体情况,建立硅粉的运动学模型,绘出粉粒沉降时间与粉粒粒度和进气速率的关系曲线,并通过该模型选择进气速率为4～10L/s,粉粒的粒度范围为70～100μm。为了提高粉粒沉降过程中纯化效果,建立并分析鞘层模型中与鞘层厚度、鞘层区离子浓度以及鞘层离子平均动能有关的工艺参数的变化关系并提出一套优化选择放电参数的方法。通过该方法优化工艺参数为反应室总压力为4～6Pa,阴极电压为2000V或是更高,鞘层厚度为1.2～2cm。提纯实验结果表明,硅粉的纯度可由99.6%提高到99.95%。
- 王飞尹盛王家鑫陈亮亮
- 关键词：工艺参数鞘层
- 平板电极间鞘层离子刻蚀速率计算被引量：1
- 2007年
- 利用所建立的鞘层区离子速度分布函数，得出了鞘层区离子平均能量、平均速度、和通量以及高能中性粒子通量和能量通量等数学模型。计算了包括离子和高能中性粒子的刻蚀速率，结果表明与实验数据吻合。各模型都以工艺参数：压力、温度、放电电压以及反应室尺寸等参数表示，为工艺优化提供了理论依据。
- 尹盛王飞李战春王敬义
- 关键词：等离子体鞘层分布函数刻蚀速率
